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2SC5716 Datasheet

  • 2SC5716

  • Toshiba Semiconductor [TOSHIBA Transistor Silicon NPN Tripl...

  • TOSHIBA

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2SC5716
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5716
Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,
Color TV
路
路
路
High voltage: V
CBO
= 1700 V
High speed: t
f
(2) = 0.2 碌s (typ.)
Collector metal (fin) is fully covered with mold resin.
Unit: mm
Maximum Ratings
(Tc
=
25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
1700
700
5
8
16
4
55
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-16E3A
Equivalent Circuit
1. Base
40
W
(typ.)
2. Collector
TOSHIBA
Weight: 5.5 g (typ.)
3. Emitter
Electrical Characteristics
(Tc
=
25擄C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Emitter-base breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Forward voltage (damper diode)
Transition frequency
Collector output capacitance
Storage time
Switching time
Fall time
Storage time
Fall time
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR) EBO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (sat)
V
BE (sat)
V
F
f
T
C
ob
t
stg
(1)
t
f
(1)
t
stg
(2)
t
f
(2)
Test Condition
V
CB
=
1700 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
I
E
=
400 mA, I
B
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
1 A
V
CE
=
5 V, I
C
=
6 A
I
C
=
6 A, I
B
=
1.5 A
I
C
=
6 A, I
B
=
1.5 A
I
F
=
6 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
I
CP
=
6 A, I
B1 (end)
=
1.2 A,
f
H
=
15.75 kHz
I
CP
=
5.5 A, I
B1 (end)
=
1.1 A,
f
H
=
31.5 kHz
Min
戮
83
5
6
3.8
戮
戮
戮
戮
戮
戮
戮
Typ.
戮
戮
戮
戮
戮
戮
0.9
1.3
2
180
6
0.3
3.5
戮
0.2
Max
1
250
戮
20
9
5
1.2
1.8
戮
戮
8
0.6
5
0.35
ms
Unit
mA
mA
V
戮
V
V
V
MHz
pF
1
2001-11-27

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  • 型號
    版本
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    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR
    ETC
  • 英文版
    ETC [High Voltage Transistors]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    TRANSISTOR (NPN)
    ETC
  • 英文版
    TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
    江蘇長電
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-106VAR
    ETC

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