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2SC5714 Datasheet

  • 2SC5714

  • Toshiba Semiconductor [TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epita...

  • 117.46KB

  • TOSHIBA

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2SC5714
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5714
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
路
路
路
High DC current gain: h
FE
= 400 to 1000 (I
C
= 0.5 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.15 V (max)
High-speed switching: t
f
= 90 ns (typ.)
Industrial Applications
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
DC
t
=
10 s
DC
Pulse
Symbol
V
CBO
V
CEX
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
(Note)
T
j
T
stg
Rating
40
30
20
7
4
7
400
1.0
2.5
150
-55
to 150
Unit
V
V
V
V
A
mA
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-62
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
Note: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
2
645 mm )
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Collector output capacitance
Rise time
Switching time
Storage time
Fall time
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR) CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (sat)
V
BE (sat)
C
ob
t
r
t
stg
t
f
Test Condition
V
CB
=
40 V, I
E
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
1.6 A
I
C
=
1.6 A, I
B
=
32 mA
I
C
=
1.6 A, I
B
=
32 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
See Figure 1 circuit diagram.
V
CC
~
12 V, R
L
=
7.5
W
-
I
B1
= -I
B2
=
53.3 mA
Min
戮
戮
20
400
200
戮
戮
戮
戮
戮
戮
Typ.
戮
戮
戮
戮
戮
戮
戮
18
100
350
90
Max
100
100
戮
1000
戮
0.15
1.10
戮
戮
戮
戮
ns
V
V
pF
Unit
nA
nA
V
1
2001-12-17

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  • 型號(hào)
    版本
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    廠商
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  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR
    ETC
  • 英文版
    ETC [High Voltage Transistors]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    TRANSISTOR (NPN)
    ETC
  • 英文版
    TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
    江蘇長電
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-106VAR
    ETC

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