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2SC4669 Datasheet

  • 2SC4669

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252

  • 9頁

  • ETC

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SHINDENGEN
Switching Power Transistor
LSV Series
2SC4669
(TE10S4)
10A NPN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : E-pack
Unit : mm
RATINGS
聹Absolute
Maximum Ratings
Item
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
Conditions
Tc = 25聨
Ratings
-55`150
150
60
40
7
10
20
1.5
2
10
Ratings
Min 40
Max 0.1
Max 0.1
Max 0.1
Min 70
Max 0.3
Max 1.2
Max 12.5
TYP 50
Max 0.3
Max 1.5
Max 0.5
Unit
聨
聨
V
V
V
A
A
A
A
W
聹Electrical
Characteristics (Tc=25聨)
Item
Symbol
Collector to Emitter Sustaining Voltage
V
CEO
(sus)
Collector Cutoff Current
I
CBO
I
CEO
Emitter Cutoff Current
I
EBO
DC Current Gain
h
FE
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
Base to Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Thermal Resistance
脝jc
Transition Frequency
f
T
Turn on Time
ton
Storage Time
Fall Time
Conditions
I
C
= 0.1A
At rated Voltage
At rated Voltage
V
CE
= 2V, I
C
= 5A
I
C
= 5A
I
B
= 0.5A
Junction to case
V
CE
= 10V, I
C
= 1A
I
C
= 5A
I
B1
= 0.5A, I
B2
= 0.5A
R
L
= 5露, V
BB2
= 4V
Unit
V
mA
mA
V
V
聨/W
MHz
脢s
ts
tf
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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