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2SC3611 Datasheet

  • 2SC3611

  • Silicon NPN epitaxial planar type(For video amplifier)

  • 4頁

  • PANASONIC

掃碼查看芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)

上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

Power Transistors
2SC3611
Silicon NPN epitaxial planar type
Unit: mm
For video amplifier
蠁
3.16
鹵0.1
8.0
+0.5
鈥?.1
3.2
鹵0.2
I
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25擄C
0.75
鹵0.1
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Symbol
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
110
100
50
3.5
300
150
1.2
4.0
*
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
V
V
mA
mA
W
擄C
擄C
4.6
鹵0.2
0.5
鹵0.1
0.5
鹵0.1
2.3
鹵0.2
3
1.76
鹵0.1
16.0
鹵1.0
鈥?/div>
High transition frequency f
T
鈥?/div>
Small collector output capacitance C
ob
鈥?/div>
Wide current range
鈥?/div>
TO-126B package which requires no insulation plate for installa-
tion to the heat sink
3.8
鹵0.3
11.0
鹵0.5
I
Features
1.9
鹵0.1
1
2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
TO-126B-A1 Package
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
T
C
= 25擄C
T
a
= 25擄C
Junction temperature
Storage temperature
Note) *: With a 100
脳
100
脳
2 mm A1 heat sink
I
Electrical Characteristics
T
C
=
25擄C
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Symbol
I
CEO
V
CBO
V
CER
V
CEO
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T1
f
T2
Collector output capacitance
C
ob
Conditions
V
CE
= 35 V, I
B
= 0
I
C
= 100
碌A(chǔ),
I
E
= 0
I
C
= 500
碌A(chǔ),
R
BE
= 470
鈩?/div>
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
I
E
= 100
碌A(chǔ),
I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
V
CB
= 10 V, I
E
=
鈭?0
mA, f = 200 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
=
鈭?10
mA, f = 200 MHz
V
CB
= 30 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
300
350
3
110
100
50
3.5
20
0.5
V
MHz
MHz
pF
Min
Typ
Max
10
Unit
碌A(chǔ)
V
V
V
V
3.05
鹵0.1
201

2SC3611 產(chǎn)品屬性

  • 2SC3611 View All Specifications

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 150mA

  • 50V

  • 500mV @ 15mA，150mA

  • 10µA

  • 20 @ 100mA，5V

  • 4W

  • 300MHz

  • 通孔

  • TO-225AA，TO-126-3

  • TO-126B-A1

  • 散裝

2SC3611相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
    ETC
  • 英文版
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
    ETC
  • 英文版
    泰豐
  • 英文版
    LICON NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    LICON NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APP...
    TOSHIBA
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APP...
    TOSHIBA [Toshib...
  • 英文版
    2SC388
    ETC
  • 英文版
    NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
    Sanyo
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    Mitsubishi
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
    ETC
  • 英文版
    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Epitaxial
    KEXIN [Gua...

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