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2SC3507 Datasheet

  • 2SC3507

  • Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown ...

  • 3頁

  • PANASONIC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

Power Transistors
2SC3507
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high breakdown voltage high-speed switching
Unit: mm
s
Features
q
q
q
q
(T
C
=25藲C)
Ratings
1000
1000
800
7
10
5
3
80
3
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
藲C
藲C
16.2鹵0.5
12.5
3.5
Solder Dip
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Base current
Collector power T
C
=25擄C
dissipation
Ta=25擄C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
21.0鹵0.5
15.0鹵0.2
High-speed switching
High collector to base voltage V
CBO
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h
FE
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
0.7
15.0鹵0.3
11.0鹵0.2
5.0鹵0.2
3.2
蠁3.2鹵0.1
2.0鹵0.2
2.0鹵0.1
1.1鹵0.1
5.45鹵0.3
10.9鹵0.5
1
2
3
0.6鹵0.2
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP鈥? Full Pack Package(a)
s
Electrical Characteristics
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
*
V
CEO(sus)
(T
C
=25藲C)
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO(sus)*
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
Conditions
V
CB
= 1000V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
I
C
= 0.5A, L = 50mH
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 3A, I
B
= 0.6A
I
C
= 3A, I
B
= 0.6A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A, f = 1MHz
I
C
= 3A, I
B1
= 0.6A, I
B2
= 鈥?.2A,
V
CC
= 250V
6
1
2.5
0.5
800
6
1.5
1.5
V
V
MHz
碌s
碌s
碌s
min
typ
max
50
50
Unit
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
V
Test circuit
50/60Hz
mercury relay
L 50mH
120鈩?/div>
6V
1鈩?/div>
15V
X
Y
G
1

2SC3507 產(chǎn)品屬性

  • 2SC3507 View all Specifications

  • 40

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 5A

  • 800V

  • 1.5V @ 600mA，3A

  • -

  • 6 @ 3A，5V

  • 3W

  • 6MHz

  • 通孔

  • TOP-3F

  • TOP-3F-A1

  • 散裝

2SC3507相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
    ETC
  • 英文版
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
    ETC
  • 英文版
    泰豐
  • 英文版
    LICON NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    LICON NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APP...
    TOSHIBA
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APP...
    TOSHIBA [Toshib...
  • 英文版
    2SC388
    ETC
  • 英文版
    NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
    Sanyo
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    Mitsubishi
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
    ETC
  • 英文版
    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Epitaxial
    KEXIN [Gua...

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