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2SC3243 Datasheet

  • 2SC3243

  • TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors

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  • ETC

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors
2SC3243
FEATURES
Power dissipation
P
CM
:
0.9
W (Tamb=25鈩?
3.
BASE
TRANSISTOR (NPN)
TO-92MOD
1.
EMITTER
2.
COLLECTOR
Collector current
1
A
I
CM
:
Collector-base voltage
60
V
V
(BR)CBO
:
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55鈩?to +150鈩?/div>
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25鈩?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE(sat)
123
unless otherwise specified)
Test
conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
Ic=
10碌
A, I
E
=0
Ic=
2
mA, I
B
=0
I
E
=
10
碌A, I
C
=0
V
CB
=
50
V, I
E
=0
V
EB
=
4
V, I
C
=0
V
CE
=4V, I
C
=
100
mA
I
C
=
500
mA, I
B
=
25
mA
V
CE
=
2
V, I
C
=
10
mA
V
CB
=
10
V, I
E
=0, f=
1
MHz
60
60
6
0.2
0.2
55
300
0.3
80
25
碌A
碌A
V
MHz
pF
f
T
C
ob
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank
Range
Marking
C
55-110
D
90-180
E
150-300

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  • 型號
    版本
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    廠商
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  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
    ETC
  • 英文版
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
    ETC
  • 英文版
    泰豐
  • 英文版
    LICON NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    LICON NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APP...
    TOSHIBA
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APP...
    TOSHIBA [Toshib...
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    ETC
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    Silicon NPN Epitaxial
    KEXIN [Gua...

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