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2SB740 Datasheet

  • 2SB740

  • Plastic-Encapsulated Transistors

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  • TRSYS

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Transys
Electronics
L I M I T E D
TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors
TO-92MOD
1. EMITTER
2SB740
FEATURE
Power dissipation
P
CM
:
TRANSISTOR (PNP)
2. COLLECTOR
0.9
W (Tamb=25鈩?
3. BASE
Collector current
-1
A
I
CM:
Collector-base voltage
-70
V
V
(BR)CBO
:
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55鈩?/div>
to +150鈩?/div>
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25鈩?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CEsat
unless otherwise specified)
Test
conditions
MIN
-70
-50
-6
-1
-0.2
100
320
-0.6
100
V
MHz
MAX
UNIT
V
V
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
Ic= -10碌A(chǔ) , I
E
=0
I
C
=-1mA , I
B
=0
I
E
= -10碌A(chǔ), I
C
=0
V
CB
= -55 V, I
E
=0
V
EB
= -6 V, I
C
=0
V
CE
=-2 V, I
C
= -100mA
I
C
= -1A, I
B
=-100mA
V
CE
=-2V, I
C
= -10mA
V
CE
=-10V, I
E
=0, f=1 MHz
f
T
C
ob
Output capacitance
45
pF
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
B
100-200
C
160-320

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    GERMANIUM PNP ALLOYED JUNCTION (LOW SPEED SWITCHING AUDIO FR...
    ETC
  • 英文版
    GERMANIUM PNP ALLOYED JUNCTION (LOW SPEED SWITCHING AUDIO FR...
    ETC [ETC]
  • 英文版
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    MOSPEC
  • 英文版
    POWER TRANSISTORS(4.0A,40W)
    MOSPEC [Mo...
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    ETC
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    ISC [Incha...
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    ETC [ETC]
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    ETC
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    PANASONIC ...
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