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2SB1691WL Datasheet

  • 2SB1691WL

  • Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

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  • RENESAS

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2SB1691
Silicon PNP Epitaxial Planer
Low Frequency Power Amplifier
REJ03G0482-0200
(Previous ADE-208-1387A (Z))
Rev.2.00
Dec.09.2004
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Small size package: MPAK (SC鈥?9A)
Large Maximum current: I
C
= 鈥? A
Low collector to emitter saturation voltage: V
CE(sat)
= 鈥?.3 V max.(at I
C
/I
B
= 鈥?.5 A/鈥?.05 A)
High power dissipation: P
C
= 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm))
Complementary pair with 2SD2655
Outline
MPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note:
Marking is 鈥淲L-鈥?
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Item
Collector to base Voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note:
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
ic(peak)
P
C
Tj
Tstg
Ratings
鈭?0
鈭?0
鈥?
鈥?
鈥?
800*
150
鈭?5
to +150
Unit
V
V
V
A
A
mW
擄C
擄C
*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)
Rev.2.00, Dec.09.2004, page 1 of 4

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    ETC
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    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
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    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
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    ETC [GE PNP ALLOY JUNCTION]
    ETC
  • 英文版
    GE PNP ALLOY JUNCTION
    ETC
  • 英文版
    LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair 2SD 1366
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair 2SD 1366
    HITACHI [H...
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    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI
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    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
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    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI [H...
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    HITACHI
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