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2SB1181 Datasheet

  • 2SB1181

  • Power Transistor

  • 83.25KB

  • 3頁(yè)

  • ROHM

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2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
Power Transistor (鈭?0V,
鈭?A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
!Features
1) High breakdown voltage and high
current.
BV
CEO
=
鈭?0V,
I
C
=鈭?A
2) Good h
FE
linearity.
3) Low V
CE(sat)
.
4) Complements the 2SD1898 /
2SD1863 / 2SD1733.
!
External dimensions
(Units : mm)
2SB1260
4.5+0.2
鈭?.1
1.6鹵0.1
2SB1181
1.5
鹵
0.3
6.5
鹵
0.2
5.1+0.2
鈭?/div>
0.1
C0.5
2.3+0.2
鈭?/div>
0.1
0.5
鹵
0.1
0.5鹵0.1
1.5 +0.2
鈭?.1
5.5+0.3
鈭?/div>
0.1
4.0 鹵0.3
2.5+0.2
鈭?.1
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4鹵0.1
1.5鹵0.1
0.4+0.1
鈭?.05
0.65
鹵
0.1
0.9
1.0鹵0.2
0.55
鹵
0.1
2.3
鹵
0.2
2.3
鹵
0.2
1.0
鹵
0.2
0.4鹵0.1
1.5鹵0.1
0.5鹵0.1
3.0鹵0.2
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
(1) (2) (3)
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
Abbreviated
symbol: BH
鈭?/div>
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
2SB1241
6.8鹵0.2
2.5鹵0.2
0.65Max.
1.0
0.5鹵0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45鹵0.1
14.5鹵0.5
4.4鹵0.2
0.9
ROHM : ATV
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
* Denotes h
FE
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
Collector power
dissipation
2SB1241, 2SB1181
2SB1181
Junction temperature
Storage temperature
Tj
Tstg
P
C
Limits
-80
-80
-5
-1
-2
0.5
2
1
10
150
-55~+150
W
*2
*3
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
*1
W(Tc=25藲C)
藲C
藲C
*1 Single pulse, Pw=100ms
*2 When mounted on a 40脳40脳0.7 mm ceramic board.
*3
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
2.5
9.5
鹵
0.5
0.9
1.5

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [GE PNP ALLOY JUNCTION]
    ETC
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [GE PNP ALLOY JUNCTION]
    ETC
  • 英文版
    GE PNP ALLOY JUNCTION
    ETC
  • 英文版
    LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair 2SD 1366
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair 2SD 1366
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon PNP Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor
    ROHM
  • 英文版
    isc Silicon PNP Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor
    ROHM [Rohm...

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