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2SB1011 Datasheet

  • 2SB1011

  • Silicon PNP triple diffusion planar type

  • 4頁(yè)

  • PANASONIC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

Power Transistors
2SB1011
Silicon PNP triple diffusion planar type
For low-frequency output amplification
8.0
+0.5
鈥?.1
Unit: mm
3.2
鹵0.2
鈻?/div>
Features
鈥?/div>
High collector-base voltage (Emitter open) V
CBO
鈥?/div>
High collector-emitter voltage (Base open) V
CEO
鈥?/div>
Large collector power dissipation P
C
鈥?/div>
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
蠁
3.16
鹵0.1
3.8
鹵0.3
11.0
鹵0.5
1.9
鹵0.1
鈻?/div>
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
Rating
鈭?00
鈭?00
鈭?
鈭?00
鈭?00
1.2
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
V
1
2
3
0.75
鹵0.1
4.6
鹵0.2
0.5
鹵0.1
0.5
鹵0.1
2.3
鹵0.2
1.76
鹵0.1
mA
mA
W
擄C
擄C
鈻?/div>
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
鹵
3擄C
Parameter
Collector-base voltage (Emiter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emiter-base voltage (Collector open)
Forward current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
I
C
= 鈭?00 碌A(chǔ),
I
E
=
0
I
C
= 鈭?00 碌A(chǔ),
I
B
=
0
I
E
= 鈭?00 碌A(chǔ),
I
C
=
0
V
CE
= 鈭?
V, I
C
= 鈭?0
mA
I
C
= 鈭?0
mA, I
B
= 鈭?
mA
I
C
= 鈭?0
mA, I
B
= 鈭?
mA
V
CB
= 鈭?0
V, I
E
=
20 mA, f
=
200 MHz
V
CB
= 鈭?0
V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
70
9
Min
鈭?00
鈭?00
鈭?
30
鈭?.5
鈭?.5
Typ
Max
Unit
V
V
V
錚?/div>
V
V
MHz
pF
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
16.0
鹵1.0
1: Emitter
2: Collector
3: Base
TO-126B-A1 Package
3.05
鹵0.1
Publication date: March 2003
SJD00036BED
1

2SB1011 產(chǎn)品屬性

  • 2SB1011 View all Specifications

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 100mA

  • 400V

  • 2.5V @ 5mA，50mA

  • -

  • 30 @ 30mA，5V

  • 1.2W

  • 70MHz

  • 通孔

  • TO-225AA，TO-126-3

  • TO-126B-A1

  • 散裝

2SB1011相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [GE PNP ALLOY JUNCTION]
    ETC
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [Ge PNP Alloy Junction]
    ETC
  • 英文版
    ETC [GE PNP ALLOY JUNCTION]
    ETC
  • 英文版
    GE PNP ALLOY JUNCTION
    ETC
  • 英文版
    LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair 2SD 1366
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair 2SD 1366
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    Silicon PNP Epitaxial
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon PNP Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor
    ROHM
  • 英文版
    isc Silicon PNP Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor
    ROHM [Rohm...

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