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2SA879 Datasheet

  • 2SA879

  • For general amplification Complementary to 2SC1573

  • 4頁

  • PANASONIC

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Transistors
2SA0879
(2SA879)
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SC1573
鈻?/div>
Features
鈥?/div>
High collector-emitter voltage (Base open) V
CEO
0.7
+0.3
鈥?.2
0.7
鹵0.1
5.9
鹵0.2
4.9
鹵0.2
Unit: mm
鈻?/div>
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
Rating
鈭?50
鈭?00
鈭?
鈭?0
鈭?00
1
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
擄C
擄C
1 2 3
0.45
+0.2
鈥?.1
(1.27)
13.5
鹵0.5
0.45
+0.2
鈥?.1
(1.27)
8.6
鹵0.2
2.54
鹵0.15
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
EIAJ : SC-51
TO-92L-A1 Package
鈻?/div>
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
鹵
3擄C
Parameter
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Forward current transfer ratio
*
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
Symbol
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
I
C
= 鈭?00 碌A(chǔ),
I
B
=
0
I
E
= 鈭? 碌A(chǔ),
I
C
=
0
V
CE
= 鈭?0
V, I
C
= 鈭?
mA
I
C
= 鈭?0
mA, I
B
= 鈭?
mA
V
CB
= 鈭?0
V, I
E
=
10 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
鈭?0
V, I
E
= 0, f = 1 MHz
50
80
5
10
Min
鈭?00
鈭?
60
220
鈭?.5
Typ
Max
Unit
V
V
錚?/div>
V
MHz
pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
h
FE
Q
60 to 150
R
100 to 220
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Publication date: November 2002
SJC00006BED
(3.2)
1

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 210V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP
    ETC
  • 英文版
    2SA807 2SA808 2SA808A
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    2SA807 2SA808 2SA808A
    ETC [ETC]
  • 英文版
    2SA807 2SA808 2SA808A
    ETC
  • 英文版
    isc Silicon PNP Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    2SA807 2SA808 2SA808A
    ETC [ETC]
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAX...
    NEC
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Transistor
    BILIN
  • 英文版
    2SA812
    金譽(yù)
  • 英文版
    PNP Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR
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    SILICON PNP EPITAXIAL BASE MESA TYPE
    TOSHIBA
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