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2SA473 Datasheet

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2SA473
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
TO-220
!
Complement to 2SC1173
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25鈩?
鈩?/div>
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation (Tc=25
鈩?
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
Tstg
Rating
-30
-30
-5
-3
10
150
-50~150
Unit
V
V
V
A
W
鈩?/div>
鈩?/div>
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25鈩?
鈩?/div>
Characteristic
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Symbol
I
CBO
I
EBO
H
fE1
V
CE(sat)
F
T
Test Condition
V
CB
= -30V , I
E
=0
V
EB
= -5V , I
C
=
0
V
CE
= -1V , I
C
=-0.1A
I
C
=-2A , I
B
=-0.2A
V
CE
= -2V , I
C
=-0.5A
Min
Typ
Max
-10
10
240
-0.8
100
Unit
碌
A
碌
A
70
V
MHZ
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: wsccltd@hkstar.com

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    High voltage transistors
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    TOSHIBA
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    ISC [Incha...
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    SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
    TOSHIBA
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    ISC [Incha...
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    TOSHIBA [T...
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    SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR (PCT PROCESS)(TENTATIVE)
    ETC
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    ETC [ETC]
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