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2SA2199

Transistors

General Purpose Transistor

(鈭?0V,

鈭?00mA)

2SA2199

Applications

Small signal low frequency amplifier

Dimensions

(Unit : mm)

VMN3

Features

1) Excellent h

FE

linearity.

2) Complements the 2SC6114.

0.1

0.22

(3)

0.16

Structure

PNP silicon epitaxial

planar transistor

0.1

1.0

0.8

(1)

(2)

0.17

0.35

0.6

(1) Base

(2) Emitter

(3) Collector

0.37

Abbreviated symbol : P

Absolute maximum

(Ta=25擄C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Power dissipation

Junction temperature

Range of storage temperature

鈭?

Pw=1ms Single pulse

鈭?

Each terminal mounted on a recommended land

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

CP

P

D

Tj

Tstg

鈭?

鈭?

Limits

鈭?0

鈭?0

鈭?

鈭?00

鈭?00

150

150

鈭?5

to

+150

Unit

V

V

V

mA

mW

擄C

擄C

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  FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICR...
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