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2SA1201Y Datasheet

  • 2SA1201Y

  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-89

  • 107.73KB

  • 4頁

  • ETC

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2SA1201
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1201
Voltage Amplifier Applications
Power Amplifier Applications
路
路
路
路
路
High voltage: V
CEO
=
鈭?20
V
High transition frequency: f
T
=
120
MHz (typ.)
Small flat package
P
C
=
1
to 2 W (mounted on ceramic substrate)
Complementary to 2SC2881
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Collector power dissipation
P
C
(Note 1)
Junction temperature
Storage temperature range
T
j
T
stg
2
Rating
鈭?20
鈭?20
鈭?
鈭?00
鈭?60
500
1000
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
V
mA
mA
PW-MINI
JEDEC
鈥?/div>
SC-62
2-5K1A
JEITA
TOSHIBA
mW
擄C
擄C
Weight: 0.05 g (typ.)
Note 1: Mounted on ceramic substrate (250 mm 脳 0.8 t)
1
2002-08-13

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