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2PD2150 Datasheet

  • 2PD2150

  • 20 V, 3 A NPN low VCEsat transistor

  • 11頁

  • PHILIPS

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2PD2150
20 V, 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?22 April 2005
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
NPN low V
CEsat
Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/
TO-243) SMD plastic package.
PNP complement: 2PB1424.
1.2 Features
s
s
s
s
s
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability: I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High ef鏗乧iency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
s
s
s
s
s
s
DC-to-DC conversion
MOSFET gate driving
Motor control
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)
Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
1.4 Quick reference data
Table 1:
Symbol
V
CEO
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
peak collector current
DC current gain
Conditions
open base
single pulse;
t
p
鈮?/div>
1 ms
V
CE
= 2 V;
I
C
= 0.1 A
Min
-
-
180
Typ
-
-
-
Max
20
3
390
Unit
V
A

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