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2PB1424 Datasheet

  • 2PB1424

  • 20 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

  • 70.33KB

  • 11頁(yè)

  • PHILIPS

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2PB1424
20 V, 3 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?2 May 2005
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
PNP low V
CEsat
Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/
TO-243) SMD plastic package.
NPN complement: 2PD2150.
1.2 Features
s
s
s
s
s
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability: I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High ef鏗乧iency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
s
s
s
s
s
s
DC-to-DC conversion
MOSFET gate driving
Motor control
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)
Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
1.4 Quick reference data
Table 1:
V
CEO
I
CM
h
FE
Quick reference data
Conditions
open base
single pulse;
t
p
鈮?/div>
1 ms
V
CE
=
鈭?
V;
I
C
=
鈭?.1
A
Min
-
-
180
Typ
-
-
-
Max
鈭?0
鈭?
390
Unit
V
A
collector-emitter voltage
peak collector current
DC current gain
Symbol Parameter

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