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2N7002LT1/D Datasheet

  • 2N7002LT1/D

  • Small Signal MOSFET 115 mA， 60 Volts

  • 8頁(yè)

  • ETC

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2N7002LT1
Preferred Device
Small Signal MOSFET
115 mAmps, 60 Volts
N鈥揅hannel SOT鈥?3
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain鈥揝ource Voltage
Drain鈥揋ate Voltage (RGS = 1.0 M鈩?
Drain Current
鈥?Continuous TC = 25擄C (Note 1.)
鈥?Continuous
TC = 100擄C (Note 1.)
鈥?Pulsed (Note 2.)
Gate鈥揝ource Voltage
鈥?Continuous
鈥?Non鈥搑epetitive (tp
鈮?/div>
50
碌s)
Symbol
VDSS
VDGR
ID
ID
IDM
Value
60
60
鹵115
鹵75
鹵800
Unit
Vdc
Vdc
mAdc
http://onsemi.com
115 mAMPS
60 VOLTS
RDS(on) = 7.5
W
N鈥揅hannel
3
VGS
VGSM
鹵20
鹵40
Vdc
Vpk
1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR鈥? Board
(Note 3.) TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(Note 4.) TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
PD
Max
225
1.8
556
300
2.4
R
胃JA
TJ, Tstg
417
鈥?5 to
+150
擄C/W
擄C
Unit
mW
mW/擄C
擄C/W
mW
mW/擄C
2
3
R
胃JA
PD
1
2
SOT鈥?3
CASE 318
STYLE 21
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain
current.
2. Pulse Test: Pulse Width
鈮?/div>
300
碌s,
Duty Cycle
鈮?/div>
2.0%.
3. FR鈥? = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
4. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.025 in 99.5% alumina.
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
Drain
3
702
W
1
2
Gate
702
W
Source
= Device Code
= Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
2N7002LT1
2N7002LT3
Package
SOT鈥?3
SOT鈥?3
Shipping
3000 Tape & Reel
10,000 Tape & Reel
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
1
December, 2000 鈥?Rev. 4
Publication Order Number:
2N7002LT1/D

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18
  • 英文版
    Small Signal Transistors
    CENTRAL
  • 英文版
    Small Signal Transistors
    CENTRAL [C...
  • 英文版
    silicon transistors UHF/VHF power transistors
    ETC
  • 英文版
    silicon transistors UHF/VHF power transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-206AA
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-206AA
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 28V V(BR)CEO | TO-18
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 28V V(BR)CEO | TO-18
  • 英文版
    Small Signal Transistors
    CENTRAL
  • 英文版
    Small Signal Transistors
    CENTRAL [C...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | TO-18
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | TO-18
  • 英文版
    Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
    ONSEMI
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    VISHAY
  • 英文版
    N-CHANNEL-ENHANCEMENT
    TRSYS

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