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2N7002-01 Datasheet

  • 2N7002-01

  • N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

  • 3頁(yè)

  • DIODES

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2N7002-01
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT
TRANSISTOR
Features
路
路
路
路
路
Low On-Resistance: R
DS(ON)
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
G
E
D
G
H
K
J
L
M
SOT-23
A
D
TOP VIEW
B
S
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
0.37
1.19
2.10
0.89
0.45
1.78
2.65
0.013
0.89
0.45
0.076
Max
0.51
1.40
2.50
1.05
0.61
2.05
3.05
0.15
1.10
0.61
0.178
Mechanical Data
路
路
路
路
路
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: K7A
Weight: 0.008 grams (approx.)
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
Drain-Source Voltage
@ T
A
= 25擄C unless otherwise specified
Symbol
V
DSS
V
DGR
Continuous
Pulsed
Continuous
Continuous @ 100擄C
Pulsed
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
STG
Value
60
60
鹵20
鹵40
115
73
800
200
1.60
625
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
mW
mW/擄C
K/W
擄C
Characteristic
Drain-Gate Voltage R
GS
攏
1.0MW
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 1)
Total Power Dissipation (Note 1)
Derating above T
A
= 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at specified ambient temperature.
2. Pulse width
攏
300ms, duty cycle
攏
2%.
DS30026 Rev. C-5
1 of 3
2N7002-01

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