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2N6849U Datasheet

  • 2N6849U

  • P-Channel

  • 20.78KB

  • 2頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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IRFE9130
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
P鈥揅HANNEL
POWER MOSFET
鈮?/div>
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
Rad.
0.08 (0.003)
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
鈥?SURFACE MOUNT
鈥?SMALL FOOTPRINT
-100V
-6.1A
鈩?/div>
0.345鈩?/div>
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 (0.007 Rad.
LCC4
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
鈥?HERMETICALLY SEALED
PINS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
TRANSISTOR
BASE
COLLECTOR
EMITTER
鈥?DYNAMIC dv/dt RATING
鈥?AVALANCHE ENERGY RATING
鈥?SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
鈥?LIGHT WEIGHT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
Gate 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25擄C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100擄C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25擄C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
鹵20V
鈥?6.1A
鈥?3.8A
鈥?24A
22W
0.17W/擄C
92mJ
鈥?5.5V/ns
鈥?55 to +150擄C
300擄C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
10/98

2N6849U 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • P 通道

  • MOSFET(金屬氧化物)

  • 100 V

  • 6.5A(Tc)

  • 10V

  • 300 毫歐 @ 4.1A,10V

  • 4V @ 250μA

  • 34.8 nC @ 10 V

  • ±20V

  • -

  • -

  • 800mW(Ta),25W(Tc)

  • -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 表面貼裝型

  • 18-ULCC(9.14x7.49)

  • 18-CLCC

2N6849U相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS
    CENTRAL
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    KNOX
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    IRF
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    CENTRAL
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    IRF
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    KNOX
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