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2N6798U Datasheet

  • 2N6798U

  • N-Channel

  • 21.22KB

  • 2頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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IRFE230
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N鈥揅HANNEL
POWER MOSFET
鈮?/div>
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
鈥?SURFACE MOUNT
鈥?SMALL FOOTPRINT
200V
4.8A
鈩?/div>
0.46鈩?/div>
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
Rad.
0.08 (0.003)
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 (0.007 Rad.
鈥?HERMETICALLY SEALED
鈥?DYNAMIC dv/dt RATING
LCC4
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
鈥?AVALANCHE ENERGY RATING
PINS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
TRANSISTOR
BASE
COLLECTOR
EMITTER
鈥?SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
鈥?LIGHT WEIGHT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
Gate 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25擄C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
(V
GS
= 10V , T
case
= 25擄C)
(V
GS
= 10V , T
case
= 100擄C)
鹵20V
4.8A
3.1A
19A
22W
0.17W/擄C
54mJ
4.5V/ns
-55 to +150擄C
300擄C
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
鈮?/div>
300碌s,
未 鈮?/div>
2%
2) @ V
DD
= 50V , L
鈮?/div>
570碌H , R
G
= 25鈩?, Peak I
L
= 14A , Starting T
J
= 25擄C
3) @ I
SD
鈮?/div>
14A , di/dt
鈮?/div>
140A/碌s , V
DD
鈮?/div>
BV
DSS
, T
J
鈮?/div>
150擄C , Suggested R
G
= 7.5鈩?/div>
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
10/98

2N6798U 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 200 V

  • 5.5A（Tc）

  • 10V

  • 400 毫歐 @ 3.5A，10V

  • 4V @ 250μA

  • 5.29 nC @ 10 V

  • ±20V

  • -

  • -

  • 800mW（Ta），25W（Tc）

  • -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 表面貼裝型

  • 18-ULCC（9.14x7.49）

  • 18-CLCC

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  • 型號
    版本
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    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 130V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL [Cont...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL [Cont...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
    ETC
  • 英文版
    PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
    CDIL
  • 英文版
    PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
    CDIL [Cont...

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