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2N6796U Datasheet

  • 2N6796U

  • N-Channel

  • 2頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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IRFE130
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N鈥揅HANNEL
POWER MOSFET
鈮?/div>
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
100V
7.44A
鈩?/div>
0.207鈩?/div>
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
Rad.
0.08 (0.003)
鈥?SURFACE MOUNT
鈥?SMALL FOORPRINT
鈥?HERMETICALLY SEALED
鈥?DYNAMIC dv/dt RATING
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 (0.007 Rad.
LCC4
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
鈥?AVALANCHE ENERGY RATING
PINS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
TRANSISTOR
BASE
COLLECTOR
EMITTER
鈥?SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
鈥?LIGHTWEIGHT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
Gate 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25擄C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
(V
GS
= 10V , T
case
= 25擄C)
(V
GS
= 10V , T
case
= 100擄C)
鹵20V
7.4A
4.7A
30A
22W
0.17W/擄C
75mJ
5.5V/ns
-55 to +150擄C
300擄C
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
鈮?/div>
300碌s,
未 鈮?/div>
2%
2) @ V
DD
= 50V , L
鈮?/div>
570碌H , R
G
= 25鈩?, Peak I
L
= 14A , Starting T
J
= 25擄C
3) @ I
SD
鈮?/div>
14A , di/dt
鈮?/div>
140A/碌s , V
DD
鈮?/div>
BV
DSS
, T
J
鈮?/div>
150擄C , Suggested R
G
= 7.5鈩?/div>
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
10/98

2N6796U 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 100 V

  • 8A（Tc）

  • 10V

  • 180 毫歐 @ 5A，10V

  • 4V @ 250mA

  • 6.34 nC @ 10 V

  • ±20V

  • -

  • -

  • 800mW（Ta），25W（Tc）

  • -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 表面貼裝型

  • 18-ULCC（9.14x7.49）

  • 18-CLCC

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 130V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL [Cont...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL [Cont...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
    ETC
  • 英文版
    PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
    CDIL
  • 英文版
    PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
    CDIL [Cont...

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