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2N6788 Datasheet

  • 2N6788

  • POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A)

  • 204.13KB

  • 6頁

  • IRF

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Provisional Data Sheet No. PD-9.426B
HEXFET
廬
JANTX2N6788
POWER MOSFET
JANTXV2N6788
[REF:MIL-PRF-19500/555]
[GENERIC:IRFF120]
N-CHANNEL
Product Summary
Part Number
JANTX2N6788
JANTXV2N6788
BV
DSS
100V
R
DS(on)
0.30鈩?/div>
I
D
6.0A
100 Volt, 0.30鈩?HEXFET
鈩?/div>
HEXFET technology is the key to International
Rectifier鈥檚 advanced line of power MOSFET transis-
tors. The efficient geometry achieves very low on-
state resistance combined with high transconductance.
HEXFET transistors also feature all of the well-es-
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage
control, very fast switching, ease of paralleling and
electrical parameter temperature stability. They are
well-suited for applications such as switching power
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-
ally any application where high reliability is required.
Features:
s
s
s
s
s
Avalanche Energy Rating
Dynamic dv/dt Rating
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ V GS = 10V, TC = 25擄C Continuous Drain Current
I D @ VGS = 10V, TC = 100擄C Continuous Drain Current
IDM
Pulsed Drain Current
聦
PD @ TC = 25擄C
VGS
dv/dt
TJ
TSTG
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聨
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
JANTX2N6788, JANTXV2N6788
Units
6.0
3.5
24
20
0.16
鹵20
5.5
-55 to 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from
case for 10.5 seconds)
0.98 (typical)
A
W
W/K
聬
V
V/ns
o
C
g
To Order

2N6788 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 100 V

  • 6A（Tc）

  • 10V

  • 300 毫歐 @ 3.5A，10V

  • 4V @ 250μA

  • 18 nC @ 10 V

  • ±20V

  • -

  • -

  • 800mW（Tc）

  • -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 通孔

  • TO-39

  • TO-205AF 金屬罐

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 130V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    High-Current silicon NPN Versawatt Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL [Cont...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
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    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL
  • 英文版
    General Purpose Medium Power Amplifier
    CDIL [Cont...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
    ETC
  • 英文版
    PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
    CDIL
  • 英文版
    PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
    CDIL [Cont...

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