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2N6388_00 Datasheet

  • 2N6388_00

  • SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

  • 207.88KB

  • 6頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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2N6388
Darlington Power Transistor
Darlington silicon power transistors are designed for general-purpose amplifier
and low speed switching applications.
Features:
鈥?/div>
Collector-Emitter Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
= 80V (Minimum).
鈥?/div>
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
= 2.0V (Maximum) at I
C
= 5.0A.
鈥?/div>
DC Current Gain h
FE
= 2500 (Typical) at I
C
= 4.0A.
NPN
2N6388
10 Ampere
Darlington
Power Transistors
NPN Silicon
80 Volts
65 Watts
TO-220
Dimensions Minimum
A
B
C
D
E
F
G
H
I
Pin 1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector(Case)
J
K
L
M
O
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
Maximum
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
Dimensions : Millimetres
Page 1
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
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    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
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    CENTRAL
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