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2N6255 Datasheet

  • 2N6255

  • RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

  • 4頁

  • MICROSEMI

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MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
2N6255
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
鈥?/div>
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鈥?/div>
Silicon NPN, To-39 packaged VHF Transistor
3.0 Watt Power Output @ 175 MHz
Power Gain, G
PE
= 7.8 dB
Efficiency = 50%
1. Emitter
2. Base
3. Collector
TO-39
DESCRIPTION:
Silicon NPN transistor, designed for 12.5 volt VHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and
output stages. Also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
18
36
4.0
1
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
A
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ T
A
= 25潞C
Derate above 25潞C
5.0
28.5
Watts
mW/ 潞C
MSC1306.PDF 10-25-99

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
  • 英文版
    B40-28 40 WATTS - 28 VOLTS 100-200 MHZ
    ETC
  • 英文版
    B40-28 40 WATTS - 28 VOLTS 100-200 MHZ
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 500MA I(C) | STX-8
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 500MA I(C) | STX-8
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 1A I(C) | STX-8
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 1A I(C) | STX-8
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 2A I(C) | STX-8
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 2A I(C) | STX-8
  • 英文版
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