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2N5945 Datasheet

  • 2N5945

  • NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2N5945
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI 2N5945
is Designed for
FM Land Mobile Applications in the
400 to 960 MHz.
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
A
45擄
FEATURES:
鈥?/div>
Common Emitter
鈥?/div>
P
G
= 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz
鈥?/div>
Omnigold鈩?/div>
Metalization System
B
C
E
B
D
C
J
E
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
胃
JC
0.8 A
36 V
16 V
4.0 V
15 W @ T
C
= 25 擄C
-65 擄C to +200 擄C
-65 擄C to +150 擄C
11.6 擄C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
E
F
G
H
K
MINIMUM
inches / mm
I
#8-32 UNC
MAXIMUM
inches / mm
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
畏
c
T
C
= 25 擄C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 2.0 mA
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
P
OUT
= 4.0 W
I
C
= 200 mA
f = 1.0 MHz
f = 470 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
16
36
4.0
1.0
20
---
9.0
60
---
18
10
---
25
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
鈥?/div>
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
鈥?/div>
(818) 982-1200
鈥?/div>
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. B
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
  • 英文版
    MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
    INTERSIL
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