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2N5302/D Datasheet

  • 2N5302/D

  • High-Power NPN Silicon Transistor

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ON Semiconductort
High-Power NPN Silicon
Transistor
. . . for use in power amplifier and switching circuits applications.
鈥?/div>
Low Collector鈥揈mitter Saturation Voltage 鈥?/div>
V
CE(sat)
= 0.75 Vdc (Max) @ I
C
= 10 Adc
2N5302
30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
60 VOLTS
200 WATTS
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
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*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
V
CEO
V
CB
I
C
I
B
2N5302
60
60
30
Unit
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector鈥揈mitter Voltage
Collector鈥揃ase Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Base Current
7.5
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
P
D
200
1.14
Watts
W/_C
_C
T
J
, T
stg
鈥?5 to +200
CASE 1鈥?7
TO鈥?04AA
(TO鈥?)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
胃
JC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Case to Ambient
0.875
34
_C/W
_C/W
胃
CA
*Indicates JEDEC Registered Data.
T
A
T
C
8.0 200
6.0 150
T
C
4.0 100
T
A
2.0
50
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140
TEMPERATURE (擄C)
160
180
200
Figure 1. Power Temperature Derating Curve
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
May, 2001 鈥?Rev. 0
Publication Order Number:
2N5302/D

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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8
  • 英文版
    POWER TRANSISTORS NPN SILICON
    ONSEMI
  • 英文版
    POWER TRANSISTORS(200W)
    MOSPEC
  • 英文版
    200 WATT NPN SILICON POWER TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [...
  • 英文版
    POWER TRANSISTORS(200W)
    MOSPEC [Mo...
  • 英文版
    POWER TRANSISTORS NPN SILICON
    ONSEMI [ON...
  • 英文版
    Bipolar NPN Device in a Bipolar NPN Device in a Metal Packag...
    SEME-LAB
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    NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
    MICROSEMI
  • 英文版
    POWER TRANSISTORS(200W)
    MOSPEC
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    POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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