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2N5209 Datasheet

  • 2N5209

  • Amplifier Transistors(NPN Silicon)

  • 280.85KB

  • 6頁

  • ONSEMI

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by 2N5209/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
2N5209
2N5210
1
2
3
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector 鈥?Emitter Voltage
Collector 鈥?Base Voltage
Emitter 鈥?Base Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Total Device Dissipation @ TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Total Device Dissipation @ TC = 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ, Tstg
Value
50
50
4.0
50
625
5.0
1.5
12
鈥?55 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW/擄C
Watts
mW/擄C
擄C
CASE 29鈥?4, STYLE 1
TO鈥?2 (TO鈥?26AA)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
q
JA
R
q
JC
Max
200
83.3
Unit
擄C/W
擄C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25擄C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector 鈥?Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
Collector 鈥?Base Breakdown Voltage
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 35 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
ICBO
IEBO
50
50
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
50
50
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
Motorola Small鈥揝ignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
漏
Motorola, Inc. 1996
1

2N5209 產(chǎn)品屬性

  • Central Semiconductor

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • NPN

  • 50 V

  • 4.5 V

  • 0.05 A

  • 100 at 100 uA at 5 V

  • Single

  • 30 MHz

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-92

  • Box

  • - 65 C

  • 350 mW

  • 2500

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | TO-5
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | TO-5
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 8V V(BR)CEO | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 8V V(BR)CEO | TO-5
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46
  • 英文版
    HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR...
    GESS
  • 英文版
    HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR...
    GESS [GE S...
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    IRF
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    KNOX
  • 英文版
    25 AND 35 AMP RMS SCRS
    IRF [Inter...

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