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2N3810U Datasheet

  • 2N3810U

  • PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

  • 2頁

  • MICROSEMI

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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TECHNICAL DATA
PNP SILICON DUAL TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/336
Devices
2N3810
2N3810L
2N3810U
2N3811
2N3811L
2N3811U
Qualified
Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
60
60
5.0
50
One
Both
1
Section Sections
2
0.5
0.6
-65 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Total Power Dissipation
@ T
A
= +25
0
C
Operating & Storage Junction Temperature Range
1) Derate linearly 2.86 mW/ C for T
A
> +25 C
2) Derate linearly 3.43 mW/
0
C for T
A
> +25
0
C
0
0
P
T
T
J
,
T
stg
0
W
C
TO-78*
*See appendix A
for package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 10
碌A(chǔ)dc
Collector-Emitter Breakdown Current
I
C
= 10 mAdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
E
= 10
碌A(chǔ)dc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 50 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0 Vdc
V
(BR)
CBO
V
(BR)
CEO
V
(BR)
EBO
I
CBO
60
60
5.0
10
10
Vdc
Vdc
Vdc
畏Adc
畏Adc
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2

2N3810U 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨查看交期

  • 1 : ￥325.95000散裝

  • -

  • 散裝

  • 在售

  • 2 PNP（雙）

  • 50mA

  • 60V

  • 250mV @ 100μA，1mA

  • 10μA（ICBO）

  • 150 @ 1mA，5V

  • 350mW

  • -

  • -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 通孔

  • TO-78-6 金屬罐

  • TO-78-6

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