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2N3792 Datasheet

  • 2N3792

  • PNP SILICON EPITAXIAL BASE POWER TANSISTORS

  • 2頁

  • SEME-LAB

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2N3792
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm(inches)
40.01 (1.575)
Max.
PNP SILICON EPITAXIAL BASE
POWER TANSISTORS
26.67
(1.050)
Max.
4.47 (0.176)
Rad.
2 Pls.
22.23 (0.875)
Max.
11.43 (0.450)
6.35 (0.250)
1.09 (0.043)
0.97 (0.038)
Dia.
30.40 (1.197)
29.90 (1.177)
12.19 (0.48)
11.18 (0.44)
APPLICATIONS
Linear Power and Switching Applications
1.63 (0.064)
1.52 (0.060)
2
11.18 (0.440)
10.67 (0.420)
4.09 (0.161)
3.84 (0.151)
2 Pls
1
16.97 (0.668)
16.87 (0.664)
TO3
PIN 1 鈥?Base
PIN 2 鈥?Emitter
Case is Collector.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
CBO
V
CEO(sus)
V
EBO
I
C
I
B
P
TOT
T
stg,
T
j
,
Collector 鈥?Base Voltage(I
E
= 0)
Collector 鈥?Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter 鈥?Base Voltage(I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
= 25擄C
Storage Temperature
Junction Temperature
80V
80V
7V
10A
4A
150W
65 to 200擄C
200擄C
THERMAL CHARACTERISTICS
R
q
JC
Thermal Resistance, Junction to Case
1.17 擄C/W
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
06/00

2N3792 產(chǎn)品屬性

  • Central Semiconductor

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • PNP

  • 80 V

  • 7 V

  • 10 A

  • 50

  • 4 MHz

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-3

  • Sleeve

  • 10 A

  • - 65 C

  • 150 W

  • 20

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