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2N3725 Datasheet

  • 2N3725

  • HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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2N3725
HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH
DESCRIPTION
The 2N3725 is a silicon planar epitaxial transistor
in TO-39 metal case It is a high-voltage, high current
switch used for memory applications requiring
breakdown voltages up to 50 V and operating cur-
rents to 1 A. Fast switching times are assured be-
cause of the high minimum f
T
(300 MHz) and tight
control on storage time.
TO-39
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
P
t o t
T
s t g
, T
j
January 1989
Parameter
Collector-base Voltage (I
E
= 0)
Collector-emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Power Dissipation at T
amb
鈮?/div>
25
擄C
at T
c as e
鈮?/div>
25
擄C
Storage and Junction Temperature
Value
80
80
50
6
1
0.8
3.5
鈥?65 to 200
Unit
V
V
V
V
A
W
W
擄C
1/6

2N3725 產(chǎn)品屬性

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  • 100 : ￥131.88890散裝

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  • 散裝

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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
  • 英文版
    GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS
    STMICROELECTRONICS
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    SEMICOA
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    CENTRAL
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