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200GL120DN2 Datasheet

  • 200GL120DN2

  • IGBT Module

  • 5頁

  • ETC

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BSM 200 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
鈥?Single switch with chopper diode at collector
鈥?Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2
鈥?Package with insulated metal base plate
Type
BSM 200 GAL 120 DN2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip-case,chopper
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
R
THJCDC
V
is
-
-
-
-
P
tot
1400
+ 150
-40 ... + 125
鈮?/div>
0.09
-
鈮?/div>
0.125
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
sec
Vac
mm
K/W
擄C
I
Cpuls
580
400
W
V
GE
I
C
290
200
Symbol
V
CE
V
CGR
1200
鹵 20
A
Values
1200
Unit
V
V
CE
I
C
Package
HB 200GAL
Ordering Code
C67070-A2301-A70
1200V 290A
1
Nov-24-1997

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