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1SS133 Datasheet

  • 1SS133

  • SWITCHING DIODES

  • 83.65KB

  • 3頁

  • LRC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
1N4148
1S SERIES
1SS SERIES
SWITCHING DIODES
1.
SWITCHING DIODES
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
TYPE
V
RM
(V)
V
R
(V)
I
F
(mA)
I
O
(mA)
I
FS
(mA)
1 Sec
P(mw)
T
J
(擄C)
Tstg(擄C)
Package (mm)
DO-35
1N4148 100
1S1553
1S1555
1SS133
1SS176
1SS270
70
35
90
35
30
75
60
30
80
30
30
450
300
300
400
300
450
150
100
100
130
100
150
700
1000
1000
600
1000
1000
500
400
400
300
300
175
150
150
175
175
175
- 65~+175
- 65~+150
- 65~+150
- 65~+175
- 65~+175
- 65~+175
DO-34
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TYPE
1N4148
V
FMAX
(v)
@I
F
=100mA
1.20
@I
F
=100mA
1S1553
1.4
@I
F
=100mA
1S1555
1.4
@I
F
=100mA
1SS133
1.2
1SS176
@I
F
=100mA
1.2
1SS270
@I
F
=100mA
0.8
V
(BR)R
(v)
Min
I
RMax
(碌A)
@ V
R
=20V
0.025
@ V
R
=60V
0.5
@ V
R
=30V
0.5
@ V
R
=80V
0.5
@ V
R
=30V
0.5
@ V
R
=30V
1
@ V
R
=75V
5
C
t
(pF)
max
@ V
R
=0 f =1MHz
4
@ V
R
=0 f =1MHz
3.5
@ V
R
=0 f =1MHz
3.5
@ V
R
=0 f =1MHz
2
@ V
R
=0 f =1MHz
3
@ V
R
=0 f =1MHz
3
Trr(ns)
V
R
=6V I
F
=100mA
R
L
=100鈩?/div>
4
@I
R
=5
碌A
@I
R
=100碌A
75
100
V
R
=6V I
F
=100mA
R
L
=100鈩?/div>
4
V
R
=6V I
F
=100mA
R
L
=100鈩?/div>
4
V
R
=6V I
F
=100mA
R
L
=100鈩?/div>
3.5
桅
1.8 鹵 0.2
桅
0.5 鹵 0.1
29 鹵 1
2.7 鹵 0.3
29 鹵 1
29 鹵 1
3.8 鹵 0.2
29 鹵 1
桅0.4
鹵 0.1
桅1.8
鹵 0.02
DO 鈥?35
(mm)
DO 鈥?34
(mm)
7B鈥?/3

1SS133 產(chǎn)品屬性

  • 通孔

  • 1.8mm

  • MSD

  • 1.8 x 2.7 x 1.8mm

  • 4ns

  • 0.0005mA

  • 90V

  • 1.2V

  • 0.0006kA

  • 2

  • 切換

  • -65 °C

  • 0.4A

  • +175 °C

  • 單

  • 2.7mm

  • 1.8mm

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SUPER HIGH SPEED SWITCHING DIODE SPECIAL DESIGN FOR PROTECTI...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    SILICON PLANAR TYPE DIODE
    TOSHIBA
  • 英文版
    6 6 1SS104 High switching speed: max. ns Continuous reverse...
    SUNMATE/森美特
  • 英文版
    SILICON PLANAR TYPE DIODE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Sp...
    HITACHI
  • 英文版
    Parameter Symbol Value Unit Reverse Voltage V R 10 V Aver...
    SUNMATE/森美特
  • 英文版
    Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Sp...
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Sp...
    HITACHI
  • 英文版
    1 of 2 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE 1SS108 Reverse voltage...
    SUNMATE/森美特
  • 英文版
    Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Sp...
    HITACHI [H...
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    Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch
    HITACHI
  • 英文版
    Low forward resistance. (r SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES 1...
    SUNMATE/森美特
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
    HITACHI
  • 英文版
    O = 200mA) Peak reverse voltage V RM Reverse voltage V R Pea...
    SUNMATE/森美特
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
    HITACHI
  • 英文版
    rr = 3.5ns max) Peak reverse voltage V RM 35 V Reverse volt...
    SUNMATE/森美特
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    Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
    HITACHI

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