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1N6816R Datasheet

  • 1N6816R

  • LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

  • 2頁

  • MICROSEMI

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2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
Features
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鈥?/div>
Tungsten schottky barrier
Oxide passivated structure for very low leakage currents
Guard ring protection for increased reverse energy capability
Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package
Low package inductance
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Very low thermal resistance
鈥?/div>
Available as standard polarity (strap-to-anode, 1N6816) and reverse
polarity (strap-to-cathode: 1N6816R)
MSASC25W45K
(1N6816)
MSASC25W45KR
(1N6816R)
45 Volts
25 Amps
LOW LEAKAGE
SCHOTTKY DIODE
MAX.
45
45
45
25
(3.3)
125
2
-55 to +175
-55 to +175
1.25
1.35
UNIT
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps/擄
C
Amps
Amp
C
C
C/W
Maximum Ratings @ 25擄 (unless otherwise specified)
C
DESCRIPTION
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current, Tc鈮?145擄
C
derating, forward current, Tc鈮?145擄
C
Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave
Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1碌s, f= 1kHz
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Case:
1N6816
1N6816R
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(ave)
dI
F
/dT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
stg
JC
Mechanical Outline
ThinKey鈩?2
Datasheet# MSC1033A

1N6816R 產品屬性

  • 0現(xiàn)貨查看交期

  • 100 : ¥2,061.80720散裝

  • -

  • 散裝

  • 在售

  • 肖特基,反極性

  • 45 V

  • 25A

  • 775 mV @ 20 A

  • 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • -

  • 300 μA @ 45 V

  • -

  • 表面貼裝型

  • ThinKey?2

  • ThinKey?2

  • -55°C ~ 175°C

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    廠商
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    GOLD BONDED DIODES
    ETC [ETC]
  • 英文版
    GOLD BONDED DIODES
    ETC [ETC]
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    LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
    MICROSEMI
  • 英文版
    LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
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    LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
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