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1N645-1 Datasheet

  • 1N645-1

  • SILICON RECTIFIER

  • 2頁

  • CDI-DIODE

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鈥?AVAILABLE IN
JAN, JANTX,
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/240
鈥?SILICON RECTIFIER
鈥?METALLURGICALLY BONDED
1N645-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65擄C to +175擄C
Storage Temperature: -65擄C to +175擄C
Operating Current: 400 mA @ 25擄C
150 mA @ 150擄C
Derating: 2.0 mA/擄C From 25擄C to 150擄C
6.0 mA/擄C From 150擄C to 175擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25擄C, unless otherwise specified
TYPE
VRSM
V RWM
I FSM
TP = 1/120 s
TA = 25擄C
V (pk)
1N645-1
270
V (pk)
225
A
5
V DC
0.8 - 1.0
pF
20
VF
@400mA
CAP @
V R = 4V
FIGURE 1
TYPE
I R1 at V RWM I R2 at V RWM I R3 at V RSM
TA = 25擄C
TA = 150擄C
TA = 25擄C
碌A
1N645-1
0.05
碌A
25
碌A
50
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO 鈥?35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250 藲C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (ZO
JX): 35
藲C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
ANY.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

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