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100GAL12DN2 Datasheet

  • 100GAL12DN2

  • IGBT Module

  • 5頁

  • ETC

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BSM 100 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
鈥?Single switch with chopper diode at collector
鈥?Including fast free-wheeling diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
Type
BSM 100 GAL 120 DN2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip-case,chopper
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
R
THJCDC
V
is
-
-
-
-
P
tot
800
+ 150
-40 ... + 125
鈮?/div>
0.16
鈮?/div>
0.3
鈮?/div>
0.25
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
sec
Vac
mm
K/W
擄C
I
Cpuls
300
200
W
V
GE
I
C
150
100
Symbol
V
CE
V
CGR
1200
鹵 20
A
Values
1200
Unit
V
V
CE
I
C
Package
Ordering Code
1200V 150A
HALF BRIDGE GAL 2 C67076-A2012-A70
1
Nov-24-1997

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