MCU 測(cè)試芯片嵌入 10.8 Mbit STT-MRAM 存儲(chǔ)器
具有 10.8 Mbit 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 存儲(chǔ)單元陣列的原型 MCU 測(cè)試芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工藝制造）聲稱可以實(shí)現(xiàn)超過 200 MHz 的隨機(jī)讀取訪問頻率和 10.4 MB...
創(chuàng)意電子推出90納米ARM926EJ測(cè)試芯片UTP0010A
創(chuàng)意電子(GlobalUnichip，GUC)推出90納米ARM926EJ硬核(hard-macro)及其測(cè)試芯片(testchip)UTP0010A，為客戶大幅縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)的建構(gòu)時(shí)間，并為ARM核心整合的過程降低許多風(fēng)險(xiǎn)。UTP0010A以可合成
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2007-12-18 閱讀：1534 關(guān)鍵詞：創(chuàng)意電子推出90納米ARM926EJ測(cè)試芯片UTP0010A
工研院芯片以Cadence 的Encounter低功率測(cè)試芯片
益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布，工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)系統(tǒng)芯片技術(shù)發(fā)展中心(STC)成功地利用Cadence(r)的Encounter(r)數(shù)字IC設(shè)計(jì)平臺(tái)以及其RTL-GDSII低功率設(shè)計(jì)法設(shè)計(jì)出一顆低功率的測(cè)試芯片。其負(fù)責(zé)工研院的「App
分類：其它 時(shí)間：2007-12-05 閱讀：1692 關(guān)鍵詞：工研院芯片以Cadence 的Encounter低功率測(cè)試芯片
英飛凌推出測(cè)試芯片消除VIA缺陷提高產(chǎn)品的可靠性英飛凌公司在全球范圍內(nèi)率先推出一種全新方法，該方法可消除高度集成半導(dǎo)體電路制造過程中引起產(chǎn)品缺陷的一個(gè)最常見原因：過孔電氣故障?！斑^孔（VIA）”表示“垂直互...
分類：其它 時(shí)間：2007-12-04 閱讀：1710 關(guān)鍵詞：英飛凌推出測(cè)試芯片消除VIA缺陷
