Spansion與ISSI開發(fā)基于HyperBus接口的HyperRAM

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司與先進(jìn)存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商IntegratedSiliconSolution公司日前共同宣布，雙方將聯(lián)手開發(fā)基于SpansionHyperBus接口的HyperRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品可以極

分類：其它 時間：2014-10-16 閱讀：1656 關(guān)鍵詞：Spansion與ISSI開發(fā)基于HyperBus接口的HyperRAMISSI HyperBus接口 HyperRAM 接口

ISSI系列ISSI－IS61C1024－15J集成電路實(shí)用檢測數(shù)據(jù)

ISSI－IS61C1024－15J是DVD影碟機(jī)專用集成電路，為32腳雙列直插式塑料封裝，在廈新8156型DVD影碟機(jī)電路[U5]上的正常工作電壓和在路電阻典型檢測數(shù)據(jù)如表所列，用MF14型三用表測得（電壓測量DC擋，電阻測量×100Ω擋...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-06-19 閱讀：2078 關(guān)鍵詞：ISSI系列ISSI－IS61C1024－15J集成電路實(shí)用檢測數(shù)據(jù)IS61C1024ISSI－IS61C1024－15J電路數(shù)據(jù)

ISSI針對DDR2模塊應(yīng)用推出電可擦除串行EEPROM

IntegratedSiliconSolution推出2KBit串行EEPROM專為DDR2內(nèi)存模塊應(yīng)用的高性能芯片。IS34C02B是ISSI推出的又一款高度集成的電可擦除的可編程存儲器IC，專門用作DDR2內(nèi)存模塊，有高度的可靠性和優(yōu)良的性能，

分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：2084 關(guān)鍵詞：ISSI針對DDR2模塊應(yīng)用推出電可擦除串行EEPROM

ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構(gòu)成機(jī)制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應(yīng)用包括各種需求量

分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：2191 關(guān)鍵詞：ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAMIS43R32400A

ISSI面向汽車市場推出全套串行EEPROM設(shè)備

IntegratedSiliconSolution(ISSI)公司日前宣布，面向汽車市場推出全套系列的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)設(shè)備。新產(chǎn)品系列覆蓋的密度范圍從1K至64K，支持I2C、Microwire與SPI接口協(xié)議。新設(shè)備由中芯半

分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2007-12-04 閱讀：1684 關(guān)鍵詞：ISSI面向汽車市場推出全套串行EEPROM設(shè)備

ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM..

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構(gòu)成機(jī)制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應(yīng)用包括各種需求量

分類：其它 時間：2007-11-23 閱讀：1562 關(guān)鍵詞：ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A