意法半導(dǎo)體推出128Mb串行閃存芯片M25P128

意法半導(dǎo)體(ST)推出128Mb串行閃存芯片M25P128，主要用于各種高性能的成本敏感的計算機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品的代碼存儲應(yīng)用。這個128Mb的產(chǎn)品完善了ST現(xiàn)有的代碼存儲產(chǎn)品組合(從512Kb到64Mb)，同時據(jù)稱是這個市場上同一密度級別...

分類：其它 時間：2007-12-19 閱讀：3733 關(guān)鍵詞：意法半導(dǎo)體推出128Mb串行閃存芯片M25P128M25P128

意法新款128Mb串行閃存廣泛應(yīng)用于PC、消費(fèi)類產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體(ST)日前推出128Mb串行閃存芯片M25P128，主要用于各種高性能的成本敏感的計算機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品的代碼存儲應(yīng)用。這個128Mb的產(chǎn)品完善了ST現(xiàn)有的代碼存儲產(chǎn)品組合(從512Kb到64Mb)，同時據(jù)稱是這個市場上同一密度...

分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：1954 關(guān)鍵詞：意法新款128Mb串行閃存廣泛應(yīng)用于PC、消費(fèi)類產(chǎn)品M25P128

ST推出128Mb串行閃存芯片 面向PC和消費(fèi)電子應(yīng)用

意法半導(dǎo)體推出了新的128Mb串行閃存芯片M25P128，新產(chǎn)品主要用于各種高性能的成本敏感的計算機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品的代碼存儲應(yīng)用。這個128Mb的產(chǎn)品完善了ST現(xiàn)有的代碼存儲產(chǎn)品組合(從512Kb到64Mb)，同時據(jù)稱還是這個市場上同...

分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：2301 關(guān)鍵詞：ST推出128Mb串行閃存芯片 面向PC和消費(fèi)電子應(yīng)用M25P128

ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構(gòu)成機(jī)制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應(yīng)用包括各種需求量

分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：2176 關(guān)鍵詞：ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAMIS43R32400A

W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（圖）

White電子設(shè)計公司推出帶PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存儲器模塊W3EG2128M72AFSR.該器件是基于512MbDDRSDRAM器件的2x128Mx72雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM存儲器模塊.模塊包括有36個128Mx

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間：2007-12-07 閱讀：1490 關(guān)鍵詞：W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（圖）

ST推出采用90納米工藝的128Mb NAND閃存

閃存芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(ST)日前宣布128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產(chǎn)轉(zhuǎn)向90納米制造工藝，這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費(fèi)設(shè)備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗，這些設(shè)備包括數(shù)碼相機(jī)、語音...

分類：其它 時間：2007-12-04 閱讀：1734 關(guān)鍵詞：ST推出首個采用90納米工藝的128Mb NAND閃存TSOP48

ST率先采用90nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的128Mb NAND閃存

意法半導(dǎo)體公司(ST)推出采用90nm工藝技術(shù)的128MbNAND閃存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技術(shù)降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應(yīng)用于如數(shù)碼相機(jī)、錄音機(jī)、PDA、機(jī)頂盒(STB)、打印機(jī)和各種閃存卡等消費(fèi)類電子...

分類：其它 時間：2007-12-04 閱讀：1764 關(guān)鍵詞：ST率先采用90nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的128Mb NAND閃存TSOP48

Spansion發(fā)布128Mb MirrorBit SPI閃存

全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天發(fā)布了具有業(yè)界最高性能的128MbSPI（串行外設(shè)接口）閃存產(chǎn)品。這一128MbMirrorBitSPI產(chǎn)品以90nm制程制造，能夠幫助制造商利用SPI具有的更低的整體系統(tǒng)

分類：其它 時間：2007-11-29 閱讀：1560 關(guān)鍵詞：Spansion發(fā)布128Mb MirrorBit SPI閃存S25FL128P

ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM..

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構(gòu)成機(jī)制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應(yīng)用包括各種需求量

分類：其它 時間：2007-11-23 閱讀：1552 關(guān)鍵詞：ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A

Agilent示波器實(shí)現(xiàn)128M點(diǎn)的存儲深度

Agilent公司發(fā)布適用于Infiniium54830系列數(shù)字存儲示波器和混合信號示波器的超級深存儲器選件，從而使該系列成為具有業(yè)內(nèi)最深存儲器的示波器。這一新選件把Agilent專利MegaZoom技術(shù)與達(dá)128M樣點(diǎn)的存儲器融于一體，實(shí)...

分類：其它 時間：2007-10-23 閱讀：1635 關(guān)鍵詞：Agilent示波器實(shí)現(xiàn)128M點(diǎn)的存儲深度

HY-240128M-201圖形點(diǎn)陣式液晶顯示模塊及其應(yīng)用

摘???要：本文首先從應(yīng)用角度闡述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201圖形點(diǎn)陣式液晶顯示模塊(LCM)的組成和工作原理，然后給出了用單片機(jī)對模塊進(jìn)行控制的硬件電路和軟件編程方法，最后介紹了調(diào)試圖形點(diǎn)陣式LCM時的...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2007-10-19 閱讀：2473 關(guān)鍵詞：HY-240128M-201圖形點(diǎn)陣式液晶顯示模塊及其應(yīng)用T6A39T6963CT6A40ATMEGA8535

MC9S12DJ128MFUE的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號:MC9S12DJ128MFUE工作電壓(V):5Flash(字節(jié)):128KRAM(字節(jié)):8KEEPROM(字節(jié)):2定時器:8×16bitIC,OC,或PAI/O:最大91串行通訊:最大2SCI,2SPI,I2CA/D:最大2X8×1

分類：其它 時間：2007-04-18 閱讀：1704 關(guān)鍵詞：MC9S12DJ128MFUE

HY-240128M-201液晶顯示模塊及其應(yīng)用

摘 要：本文首先從應(yīng)用角度闡述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201圖形點(diǎn)陣式液晶顯示模塊(LCM)的組成和工作原理，然后給出了用單片機(jī)對模塊進(jìn)行控制的硬件電路和軟件編程方法，介紹了調(diào)試圖形點(diǎn)陣式LCM時的相關(guān)注...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2006-09-29 閱讀：3525 關(guān)鍵詞：HY-240128M-201液晶顯示模塊及其應(yīng)用62646A4080318080ATMEGA8535RESETT6963CT6A39T6A40