在電能傳輸中眾所周知的事實(shí)是，低壓系統(tǒng)中的歐姆損耗對(duì)效率的影響比高壓系統(tǒng)中的更大。正是出于這個(gè)原因，手機(jī)和平板電腦充電的新標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)制定（USB-PD），允許這些設(shè)備通過(guò) 9V、12V 甚至 20V 電源充電，而早期的標(biāo)...
什么是零歐姆電阻以及它們?nèi)绾卧陔娐吩O(shè)計(jì)中使用？
什么是零歐姆電阻？ 術(shù)語(yǔ)“零歐姆電阻器”只是一種方便的說(shuō)法，指的是像普通電阻器（現(xiàn)在通常是表??面貼裝電阻器）一樣封裝的跳線。為什么有人想要使用這些組件？ 設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的 PCB 首先，它們提供了一種簡(jiǎn)...
量子力學(xué)的有序世界從根本上來(lái)說(shuō)是基于線性算子理論的。各個(gè)物理量（能量、沖量、角動(dòng)量等）由作用于希爾伯特空間（歐幾里得空間的復(fù)數(shù)等價(jià)物）中振蕩的函數(shù)的算子來(lái)表示。這種范式使得我們所目睹的半導(dǎo)體器件（近年...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-01-08 閱讀：292 關(guān)鍵詞：金屬超導(dǎo)性
步驟 1 – 柵極驅(qū)動(dòng)器選擇 驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 (E-HEMT) 的柵極與驅(qū)動(dòng)硅 (Si) MOSFET 的柵極有相似之處，但也有一些有益的區(qū)別?！ ◎?qū)動(dòng) GaN E-HEMT 并...
Nano SIM卡座是一種專門(mén)設(shè)計(jì)用于容納 Nano SIM卡 的插槽或接口。它通常用于智能手機(jī)、平板電腦、移動(dòng)設(shè)備等中，允許設(shè)備與移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)連接。與早期的標(biāo)準(zhǔn)SIM卡（如Mini SIM卡）和Micro SIM卡相比，Nano SIM卡具有更小的...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-01-03 閱讀：998 關(guān)鍵詞：NANO SIM卡座
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個(gè)現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開(kāi)關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場(chǎng)效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但最初的晶體管是雙極晶體管，并且很快第一個(gè)雙極結(jié)...
二極管（Diode） 是一種電子元件，允許電流在一個(gè)方向上流動(dòng)，而在另一個(gè)方向上阻止電流的流動(dòng)。它是最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件之一，廣泛應(yīng)用于整流、電路保護(hù)、信號(hào)調(diào)制等領(lǐng)域?！ ?. 二極管的構(gòu)造 二極管的核心構(gòu)造...
許多過(guò)程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋，都需要精確的偏置電流。通過(guò)添加單個(gè)電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且精確的電流源（圖 1 ...
電感器繞組由導(dǎo)體材料制成，該導(dǎo)體材料可以是單根圓線或稱為利茲線的獨(dú)特多股導(dǎo)體。利茲絲的優(yōu)點(diǎn)是減少集膚效應(yīng)。設(shè)導(dǎo)體的橫截面積為 AC并說(shuō)它正在轉(zhuǎn) N 圈。然后，導(dǎo)體覆蓋...
功率磁芯和高導(dǎo)磁芯的定義與特征 磁芯是電感、變壓器等磁性元件中的核心部件，其作用是提供一個(gè)低損耗的磁通路徑，以便高效地傳遞和儲(chǔ)存磁能。功率磁芯和高導(dǎo)磁芯是兩類常見(jiàn)的磁性材料，它們?cè)诖判栽O(shè)備中有著不同...
氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管展現(xiàn)了雪崩和浪涌穩(wěn)健性
2 英寸摻錫 （001）-Ga2O3基板是設(shè)備制造的起點(diǎn)。漂移區(qū)由 10 μm 厚的硅摻雜 n-Ga 組成2O3載流子濃度為 ~1.7 × 10 的層16/厘米3.外延片可從 Novel Crystal Technology（...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-12-17 閱讀：365 關(guān)鍵詞：氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管
在本教程中，我們將學(xué)習(xí) Hartree 算法。這是一個(gè)非分析封閉程序，通過(guò)連續(xù)近似的迭代過(guò)程，我們可以在考慮相互庫(kù)侖相互作用的情況下確定固體中電子的量子力學(xué)狀態(tài)。在第 0 ...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-12-16 閱讀：446 關(guān)鍵詞：金屬導(dǎo)電電子
IGBT，代表絕緣柵雙極晶體管。它是具有絕緣柵極端子的雙極晶體管。它將控制輸入與 MOS 結(jié)構(gòu)和雙極功率晶體管結(jié)合在單個(gè)器件中，充當(dāng)輸出開(kāi)關(guān)！ IGBT原理 IGBT 是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極結(jié)型...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-12-13 閱讀：657 關(guān)鍵詞：IGBT基礎(chǔ)
有源晶振（Active Crystal Oscillator）和無(wú)源晶振（Passive Crystal Oscillator）是兩種常見(jiàn)的晶振（即振蕩器）類型，它們?cè)诠ぷ髟砗蛻?yīng)用上有所不同。以下是區(qū)分有源晶振和無(wú)源晶振的幾個(gè)主要特點(diǎn)： 1. 內(nèi)外部...
