優(yōu)化高壓 GaN 晶體管開關(guān)性能的設(shè)計(jì)技術(shù)

GaN 功率晶體管具有高跨導(dǎo)和寬帶寬，可實(shí)現(xiàn)非?？焖俚拈_關(guān)轉(zhuǎn)換，即使在硬開關(guān)應(yīng)用中也能實(shí)現(xiàn)極低的損耗。然而，快速開關(guān)和隨后的高 di/dt 和 dv/dt 可能對(duì)主 GaN 功率晶體...

時(shí)間：2023-08-10 閱讀：699 關(guān)鍵詞：GaN 晶體管

雙向 SiC 和 GaN 開關(guān)技術(shù)

有許多大容量電源應(yīng)用需要控制雙向電源流。目前，單片雙向 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體開關(guān)尚未商用。相反，通常使用單向功率器件的背靠背（反串聯(lián)）連接方案，導(dǎo)致芯片面積增加...

時(shí)間：2023-08-02 閱讀：1103 關(guān)鍵詞：SiC , GaN

如何制作SiC雙向開關(guān)

“就電流而言，GaN 橫向器件本質(zhì)上是雙向的。無論電流是從源極到漏極還是從漏極到源極，都是一樣的，因?yàn)椴簧婕绑w二極管。然而，這種配置的阻塞是單向的，因?yàn)樗怯蓶艠O到...

時(shí)間：2023-07-18 閱讀：958 關(guān)鍵詞：SiC雙向開關(guān)

兆赫開關(guān)頻率提升 GaN 性能

氮化鎵 (GaN) 因其比傳統(tǒng)硅基器件更高的電子遷移率而具有出色的高頻開關(guān)能力。GaN 晶體管對(duì)于電力電子器件至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈冊(cè)诟唛_關(guān)頻率下工作，從而實(shí)現(xiàn)更小的磁性元件...

時(shí)間：2023-07-13 閱讀：898 關(guān)鍵詞：開關(guān)

將觸覺按鈕開關(guān)連接到 RPi

將觸覺按鈕開關(guān)連接到 RPi 非常容易。需要記住的一個(gè)重要事項(xiàng)是 RPi 的 GPIO 引腳符合 +3.3VDC 標(biāo)準(zhǔn)。施加大于 +3.3VDC 的電壓會(huì)損壞 RPi。連接觸覺按鈕開關(guān)的電氣接線圖如...

時(shí)間：2023-07-06 閱讀：786 關(guān)鍵詞：按鈕開關(guān)

輸入接口單個(gè)開關(guān)

開關(guān)和按鈕是具有兩組或更多組電觸點(diǎn)的機(jī)械裝置。當(dāng)開關(guān)打開或斷開時(shí)，觸點(diǎn)開路，而當(dāng)開關(guān)閉合或操作時(shí)，這些觸點(diǎn)短路在一起。 將開關(guān)（或按鈕）連接到電子電路的最常見...

時(shí)間：2023-06-27 閱讀：1008 關(guān)鍵詞：開關(guān)

使用 MOSFET 作為開關(guān)的示例

在此電路布置中，增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET 用于將簡(jiǎn)單的燈“打開”和“關(guān)閉”（也可以是 LED）。 柵極輸入電壓V GS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_設(shè)備，因此燈負(fù)載“打開”...

時(shí)間：2023-06-20 閱讀：1137 關(guān)鍵詞：MOSFET

AND 函數(shù)的開關(guān)表示

AND 函數(shù)的開關(guān)表示 邏輯與功能 在這里，兩個(gè)開關(guān)A和B連接在一起形成串聯(lián)電路。因此，在上面的電路中，開關(guān)A 和開關(guān)B都必須閉合（邏輯“1”）才能點(diǎn)亮燈。換句話說，...

時(shí)間：2023-06-20 閱讀：1193 關(guān)鍵詞：AND 函數(shù)

開關(guān)電容電路頻率的優(yōu)缺點(diǎn)

如果 f OSC太低，開關(guān)系統(tǒng)會(huì)缺電，這表現(xiàn)為提供負(fù)載電流的能力降低——換句話說，表現(xiàn)為更高的輸出電阻。事實(shí)上，理想化開關(guān)電容電路的輸出電阻與振蕩器頻率（以及 C1 的值...

時(shí)間：2023-06-19 閱讀：866 關(guān)鍵詞：開關(guān)電容

MOSFET 對(duì)構(gòu)成簡(jiǎn)單的 SPDT 開關(guān)

使用 n 和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)來隔離電路的一部分，并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從輔助電源為其供電以進(jìn)行待機(jī)操作（圖 1）。通過使用互補(bǔ)對(duì)，...

時(shí)間：2023-06-13 閱讀：1375 關(guān)鍵詞：MOSFET , SPDT 開關(guān)

數(shù)字（開/關(guān)）霍爾效應(yīng)設(shè)備：開關(guān)和鎖存器

霍爾效應(yīng)開關(guān)和鎖存器是磁場(chǎng)比較器。它們將磁通密度（有時(shí)稱為 B 場(chǎng)）與一些預(yù)先指定的閾值進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果作為 1 位數(shù)字值輸出。有四種不同類別的數(shù)字（開/關(guān)）霍...

時(shí)間：2023-05-12 閱讀：1059 關(guān)鍵詞：霍爾效應(yīng)設(shè)備

RF SP4T 開關(guān)范圍從直流到 18 GHz

Menlo Micro 的 MM5120 SP4T 開關(guān)具有內(nèi)置電荷泵和驅(qū)動(dòng)器，可降低高功率射頻設(shè)計(jì)的成本和復(fù)雜性。這種微型設(shè)備的工作頻率范圍為直流至 18 GHz，可處理高達(dá) 25 W 連續(xù)和 150...

時(shí)間：2023-02-22 閱讀：556 關(guān)鍵詞：RF SP4T 開關(guān)