揭秘多種 PMOS 防倒灌電路：有效防止電流逆向流動
出處：網絡整理 發(fā)布于：2025-06-09 14:59:36 | 579 次閱讀
這種現象通常發(fā)生在電源電壓低于負載電壓的情況下，會對電源或電路造成一定的損害。
基本PMOS防倒灌電路控制信號G_CTRL的作用，在這個電路中，控制信號G_CTRL負責控制VB4.2+給VCC_OUT供電。當G_CTRL為高電平時，PMOS管導通，允許電流從VB4.2+流向VCC_OUT；當G_CTRL為低電平時，PMOS管截止，阻止電流流動。電阻R2和R3的作用,電阻R2用于限制柵極電流，防止過大的電流損壞PMOS管。電阻R3則用于控制柵極的常態(tài)，當G_CTRL為低電平時，R3將柵極上拉至高電平，使PMOS管保持截止狀態(tài)。
在這里，源漏極兩端沒有接反，電阻R2的作用是為了控制柵極電流時不會太大，R3控制柵極的常態(tài)。將R3上拉為高時，Pmos截止。這個電路也可以看成是對控制信號的上拉，當MCU內部的管腳沒有上拉時，此時的輸出為開漏，PMOS無法驅動關閉。那么就需要外部電壓的上拉了，這時R3就起到了兩個作用.
帶有穩(wěn)壓管的PMOS防倒灌電路
穩(wěn)壓管的作用,在這個電路中，加入了一個穩(wěn)壓管，用于保護PMOS管免受過壓損害。當電源接反時，穩(wěn)壓管可以限制電壓，防止PMOS管因過壓而損壞。防反接功能,除了防倒灌外，這個電路還具有防反接功能。當電源接反時，PMOS管不導通，后級電路斷開，從而保護整個電路。
兩個PMOS管的連接方式,在這個電路中，連接了兩個PMOS管進行背靠背防倒灌。當控制端為高電平時，三極管Q5導通，Q3和Q4的柵極被拉低到0V，Q3通過體二極管導通，接著Q4導通，負載端得到Vin電壓。當控制端為低電平時，三極管Q9斷開，Q3與Q4不導通，并且完全關斷，由于Q3與Q4的體二極管是反向串聯的，所以無論哪個方向都是不通的，實現了防倒灌。
當控制端為低電平，三極管Q5斷開，Q3與Q4不導通，并且完全關斷，由于3與Q4的體二極管是反向串聯的，所以無論那個方向都是不通的，實現了防倒灌。不過要注意，這個電路可能需要一個IO來控制。
總結：電流倒灌現象是電路中一種潛在危害，可能由電源或負載電壓變化引發(fā)，導致電流逆向流動。為解決這一問題，設計了多種PMOS防倒灌電路?；綪MOS防倒灌電路通過控制信號G_CTRL控制電源供電，電阻R2和R3則分別用于限制柵極電流和確保PMOS管常態(tài)截止。當G_CTRL為低電平時，R3將柵極上拉至高電平，有效防止電流倒灌。帶有穩(wěn)壓管的PMOS防倒灌電路則進一步增強了電路的保護能力，穩(wěn)壓管能限制電壓，防止PMOS管因過壓損壞，該電路還具有防反接功能，確保電路安全。背靠背PMOS防倒灌電路則采用了兩個PMOS管背靠背連接方式，通過三極管控制柵極電壓，實現電路的通斷。當控制端為低電平時，兩個PMOS管完全關斷，且由于體二極管反向串聯，無論哪個方向電流都無法通過，達到防倒灌效果。這些電路在實際應用中具有重要價值。
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