IGBT無損吸收網(wǎng)絡(luò)電路原理圖

出處：maychang 發(fā)布于：2011-08-07 21:54:04 | 2336 次閱讀

　　如圖所示該直流電壓分600V和1200V兩檔，特點(diǎn)是低介質(zhì)損耗、低電感量、高峰值電流、緩沖二極管極低恢復(fù)電荷、防火樹脂封裝、有導(dǎo)線與外部相連。吸收網(wǎng)絡(luò)一般選用小功率快恢二極管，它承受低的平均電流和大的峰值電流。特別的是，二極管必須有較低的恢復(fù)電荷，如果恢復(fù)電荷過大，電容器中儲存的能量將不能保證網(wǎng)絡(luò)在下一個(gè)周期復(fù)位。本文中的CDE緩沖電容模塊封裝的超快恢復(fù)二極管在這一方面有著優(yōu)異的性能。此外，和電容器并聯(lián)的電感器必須最小化。應(yīng)通過改變繞組的結(jié)構(gòu)來減小繞組的寄生電容。采取層繞法的寄生電容，而分段繞和疊繞技術(shù)可以減小繞組的寄生電容。

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