側(cè)電源開關(guān)

出處：維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于：2025-02-05 17:09:37 | 553 次閱讀

　　在采用高側(cè)功率開關(guān)的系統(tǒng)中，開關(guān)插入正電源導(dǎo)軌和負(fù)載之間。由于通常比P通道類型的N通道MOSFET可以攜帶更多的電流，因此優(yōu)于高載荷的高側(cè)切換。

　　請注意，與P通道功率MOSFET相比，N通道功率MOSFET更便宜，并且具有更高的功率評級。由于它們的構(gòu)造，N通道的抗性較低。它們耗散相同電流的功率較小，因此可以以較高的功率評級提供。

　　但是，使用N通道MOSFET進(jìn)行高側(cè)開關(guān)顯然需要高于連接到源的負(fù)載電壓高的柵極控制電壓。因此，需要某種額外的電路（如下一個會話中討論）以將門拉到源電壓上方。

　　引導(dǎo)電路
　　以下顯示了實(shí)用/實(shí)驗(yàn)性的引導(dǎo)電路，實(shí)際上是高度簡化的高側(cè)N通道功率MOSFET門驅(qū)動器設(shè)置。

　　在這種情況下，Bootstrap電容器（飛行電容器）C1通過以棘手的方式升高柵極電壓來為高側(cè)N通道MOSFET柵極驅(qū)動提供足夠的能量（值并不重要，因此實(shí)驗(yàn)以獲取最佳結(jié)果）。

　　門驅(qū)動器IC
　　有大量專用的門驅(qū)動器IC可用于高端N頻道MOSFET開關(guān)，例如MIC5019，這是具有集成電荷泵的典型高方向N通道MOSFET驅(qū)動程序IC。
　　從數(shù)據(jù)表中，MIC5019是一個高側(cè)MOSFET驅(qū)動程序，具有集成的電荷泵，旨在在高方面或低側(cè)應(yīng)用中切換N通道增強(qiáng)型MOSFET控制信號.
　　它從2.7V到9V電源運(yùn)行，從3V電源產(chǎn)生9.2V的門電壓，并從9V電源中產(chǎn)生16V。在高側(cè)開關(guān)配置中，
　　開機(jī)時MOSFET接近電源電壓。為了保持MOSFET打開，MIC5019輸出將MOSFET門電壓驅(qū)動高于電源電壓。

　　請注意，邏輯高的輸入信號驅(qū)動電源電壓上方的門輸出，而邏輯低信號則迫使柵極輸出在地面附近。

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