4 個(gè)具有多個(gè)柵極連接的模塊使用公共柵極驅(qū)動(dòng)器電路時(shí)，減少輔助源連接中流動(dòng)的任何電流非常重要。

   圖 1 在兩個(gè)模塊的簡化示例中顯示了輔助源連接如何為主電流路徑提供自然的并行傳導(dǎo)路徑。一些電子（我們稱之為“青少年電子”，因?yàn)樗鼈兿矚g走與其他電子不同的路徑）可以流過此輔助源并行路徑。該電流可能大到足以引起柵極振蕩，甚至熔斷模塊內(nèi)部的輔助鍵合線。

　　圖 2 所示的電路用于減少這些不需要的環(huán)流。它是共模扼流圈的組合，共模扼流圈對輸入和輸出電流相等的正常柵極電流表現(xiàn)出低阻抗，但對僅在源極連接中流動(dòng)的不需要的源極電流表現(xiàn)出高阻抗。除此之外，每對器件柵極連接都使用單獨(dú)的局部升壓級。這允許源極連接中存在電阻，但是，使用局部電容器，流經(jīng)此路徑的任何電流都不會(huì)影響柵極波形。如果僅使用簡單的源電阻，情況就不是這樣，因?yàn)榱鹘?jīng)該源電阻的任何電流都會(huì)影響柵極源電壓，從而降低直接控制水平并增加?xùn)艠O振蕩的可能性。
　　圖 2：柵極驅(qū)動(dòng)器電路
　　柵極驅(qū)動(dòng)器 PCB 布局
　　6 mΩ 模塊具有雙柵極源極引腳和雙電源漏極和源極連接點(diǎn)，以減少電感并改善模塊內(nèi)部 SiC MOSFET 芯片之間的電流共享。柵極布局的第一個(gè)挑戰(zhàn)是使兩對柵極源極連接具有對稱布局。
　　之后，關(guān)鍵是同時(shí)打開和關(guān)閉所有四個(gè)模塊的柵極?！皹洹苯Y(jié)構(gòu)通過長度相似的低電感走線柵極/源極對實(shí)現(xiàn)了這一點(diǎn)。此外，對于每對柵極源極連接的局部升壓級，布局是對稱的。測量表明，在切換期間，柵極之間的最壞情況下的時(shí)序偏差小于 5nS。
　　儀器儀表
　　圖 3 顯示了用于雙脈沖測試 (DPT) 的原理圖。重要的是測量設(shè)置為 H 橋的拓?fù)涞碾娏鞴蚕?，以便電流流?dòng)和磁場與最終應(yīng)用相匹配。此外，還需要能夠?yàn)楸粶y互補(bǔ)設(shè)備生成同步整流器開關(guān)脈沖，其死區(qū)時(shí)間滿足系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間要求。
　　　　圖 3：雙脈沖測試 (DPT) 示意圖
　　為了測量漏極和源極電流，直流總線 PCB 走線兩側(cè)均有孔，以便使用羅氏線圈。這允許測量直流總線中的電流（即下部開關(guān)的源極電流）和直流+總線電流（即上部設(shè)備的漏極電流）。還允許測量兩組模塊輸出引腳之間的輸出電流平衡
　　　圖 4：4 個(gè)并聯(lián)模塊的 DPT 電流波形（50 ?s/分度和 50 A/分度）綠色 Vgs 5 V/分度。藍(lán)色 Vds 100V/分度
　　圖 5：4 個(gè)并聯(lián)模塊的 DPT 電流波形（50 ?s/格和 50 A/格）
　　靜態(tài)電流共享
　　圖 4 顯示了 DPT 期間四個(gè)下部器件中的源電流。在死區(qū)時(shí)間之后，第一個(gè)脈沖后使用同步整流來打開上部 SiC MOSFET；但在第二個(gè)脈沖后不使用同步整流，這允許電流通過上部體二極管自由流動(dòng)。四個(gè)匹配模塊的電流共享為 +/- 3%。請注意，當(dāng) MOSFET 沒有門控且只有體二極管傳導(dǎo)電流時(shí)，第二個(gè)脈沖后的電流共享更差。
　　　圖 6：4 個(gè)并聯(lián)模塊的 DPT 關(guān)斷波形（200 ns/分度和 50 A/分度）綠色 Vgs 5 V/分度。藍(lán)色 Vds 100V/分度
　　　　圖 7：4 個(gè)并聯(lián)模塊的 DPT 開啟波形（200 ns/分度和 50 A/分度）綠色 Vgs 5 V/分度。藍(lán)色 Vds 100V/分度。
　　這項(xiàng)初始測試是針對所選模塊進(jìn)行的，其 RDS on 變化小于 2%。還對 RDS on 變化為 7% 的模塊進(jìn)行了測試，共享僅略差 +/- 4%。在高溫和切換上部設(shè)備下進(jìn)行的額外測試顯示出同樣良好的性能。圖 5 顯示了圖 4 中電流波形的擴(kuò)展視圖。