單線圈磁保持繼電器是一種具有記憶功能的繼電器，通常具有磁性結(jié)構(gòu)，可為保持活動(dòng)觸點(diǎn)的銜鐵提供兩個(gè)穩(wěn)定的位置。永磁體提供將電樞保持在這些穩(wěn)定位置的力。對(duì)繼電器線圈施加電流將電樞從一個(gè)位置移動(dòng)到另一個(gè)位置，從而改變接觸位置。
    向線圈施加一個(gè)方向的電流脈沖，其持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于該繼電器類(lèi)型的指定最小值，將繼電器設(shè)置為兩個(gè)穩(wěn)定位置中的第一個(gè)，并在電流停止循環(huán)后保持在該位置。相反方向的電流將繼電器重置到另一個(gè)位置，在沒(méi)有電流的情況下也很穩(wěn)定。然后繼電器無(wú)限期地保持在該位置，直到新的電流脈沖將其切換到另一個(gè)位置。
    如果有雙電源電壓可用，則從邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)這些繼電器之一的電子電路可以是半橋；如果只有單電源電壓可用，則可以是全橋（即 H 型電源驅(qū)動(dòng)器）。由于需要通過(guò)兩端線圈生成可逆電流脈沖，因此必須使用這些橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。由于繼電器本身在靜態(tài)條件下不消耗功率，因此驅(qū)動(dòng)電路在相同條件下也應(yīng)消耗最小的功率。
     圖 1 說(shuō)明了各種驅(qū)動(dòng)電路，具體取決于輸入信號(hào)邏輯電平、編碼以及可用電源電壓的大小。圖 1a 至圖 1c 中的 電路驅(qū)動(dòng)電壓為 4 至 15V 的繼電器。圖 1c 中的電路 需要兩條單獨(dú)的控制線：設(shè)置線設(shè)置繼電器，復(fù)位線重置繼電器。您可以將置位和復(fù)位信號(hào)編碼為正（高電平有效）或負(fù)（低電平有效）。您必須對(duì)該電路中的兩個(gè)輸入使用相同的邏輯約定。
    圖 1 這五個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器電路可適應(yīng)各種控制信號(hào)和電源電壓電平。一種是從 CMOS 邏輯電平 (a) 運(yùn)行，另一種是從 TTL 電平 (b) 運(yùn)行。另一個(gè)電路需要兩條控制線來(lái)設(shè)置和重置繼電器 (c)。另外兩個(gè)電路的電源電壓范圍為 2.7 至 5.5V，最大靜態(tài)電流僅為 50 nA（d 和 e）。
    置位和復(fù)位信號(hào)的寬度必須長(zhǎng)于繼電器運(yùn)行所需的最短時(shí)間（通常為 3 至 5 毫秒）。為了正確操作，您一次只能施加一個(gè)信號(hào)；在應(yīng)用其中一個(gè)時(shí)，另一個(gè)應(yīng)保持在非活動(dòng)邏輯值。例如，使用正邏輯時(shí)，信號(hào)必須保持高電平并持續(xù) 3 到 5 毫秒，而另一個(gè)輸入必須保持低電平，直到第一個(gè)信號(hào)脈沖結(jié)束。IC 的選擇決定了邏輯電平：TTL（晶體管到晶體管邏輯）或電源級(jí) CMOS（圖 1c ）。
    圖 1a 和圖 1b 中的電路 通過(guò)單條開(kāi)/關(guān)信號(hào)線運(yùn)行，在輸入信號(hào)的每次轉(zhuǎn)換時(shí)生成線圈電流脈沖。線圈電流脈沖的極性取決于生成它的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換的極性（圖 1a 、圖 1b 和圖 1d ）。圖 1a 中的電路 以 CMOS 邏輯電平運(yùn)行，圖 1b 中的電路 以 TTL 電平運(yùn)行。每次轉(zhuǎn)換后，信號(hào)保持穩(wěn)定的時(shí)間必須長(zhǎng)于繼電器的最短工作時(shí)間。圖1a 和圖1c中的電路 通常消耗 40 ?A 的靜態(tài)電流，圖 1b 中的 典型消耗約 50 ?A。圖1d 和圖1e 中的電路與圖1a 、圖1b 和圖1c 中的電路類(lèi)似，但它們的電源電壓范圍為2.7至5.5V，并且它們的最大靜態(tài)電流僅為50nA。
    由于單線圈鎖存繼電器有自己的存儲(chǔ)器，因此您必須在通電后將其位置初始化為已知狀態(tài)，方法是通過(guò)執(zhí)行輸入邏輯或分析和響應(yīng)來(lái)自觸點(diǎn)電路的信號(hào)。