以MOS 管取代圖3.1.1(a)中的開關(guān)S,便得到了圖3.3.4 所示的 MOS管開關(guān)電路?！　‘?dāng)v1=v∞5<VCs(u)時(shí)，MOS管工作在截止區(qū)。只要負(fù)載電阻R遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于MOS 管的截止內(nèi)阻R,在輸出端即為高電平VoH,且。VoM=VDD。這時(shí) MOS 管的DS間就相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。

　　當(dāng)v1>VCS(b)并且在v0S較高的情況下，MOS 管工作在恒流區(qū)，隨著v 的升v高i增加，而v隨之下降。由于i與v變化量之比不是正比關(guān)系，所以v為不同數(shù)值下Δv與Δv之比(即電壓放大倍數(shù))也不是常數(shù)。這時(shí)電路工作在放大狀態(tài)。

　　v當(dāng)v 繼續(xù)升高以后，MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻Rob變得很小(通常在1kΩ以內(nèi)，有的甚至可以小于10Ω)，只要R1>>RoN,則開關(guān)電路的輸出端將為低電平VoL,且。VoL=0。這時(shí)MOS管的DS間相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)?！　【C上所述，只要電路參數(shù)選擇得合理，就可以做到輸入為低電平時(shí) MOS管截止，開關(guān)電路輸出高電平；而輸入為高電平時(shí) MOS 管導(dǎo)通，開關(guān)電路輸出低電平。