MOSFET 繼電器開(kāi)關(guān)操作與上面看到的雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 開(kāi)關(guān)操作非常相似，并且之前的任何電路都可以使用 MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，MOSFET 電路的操作存在一些主要差異，主要是 MOSFET 是電壓操作器件，并且由于柵極與漏源通道電隔離，因此它們具有非常高的輸入阻抗，因此柵極電流對(duì)于 MOSFET 來(lái)說(shuō)為零，因此不需要基極電阻。

　　MOSFET 通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)行導(dǎo)電，溝道最初是關(guān)閉的，晶體管“關(guān)閉”。隨著施加到柵極端子的電壓緩慢增加，該溝道的導(dǎo)電寬度逐漸增加。換句話說(shuō)，隨著柵極電壓的增加，晶體管通過(guò)增強(qiáng)溝道來(lái)工作，因此這種類(lèi)型的 MOSFET 被稱(chēng)為增強(qiáng)型 MOSFET 或 E-MOSFET。
　　N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET (NMOS) 是最常用的 MOSFET 類(lèi)型，因?yàn)闁艠O端子上的正電壓會(huì)將 MOSFET 切換為“ON”，柵極端子上的零電壓或負(fù)電壓會(huì)將其切換為“OFF”，非常適合用作 MOSFET 繼電器轉(zhuǎn)變。還提供互補(bǔ) P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，與 PNP BJT 一樣，它們可以在相反的電壓下工作。
　　N 溝道 MOSFET 配置　　n溝道MOSFET繼電器開(kāi)關(guān)電路

　　上述MOSFET繼電器開(kāi)關(guān)電路采用共源配置連接。在零電壓輸入、低電平條件、 V GS值的情況下，沒(méi)有足夠的柵極驅(qū)動(dòng)來(lái)打開(kāi)通道，并且晶體管處于“關(guān)閉”狀態(tài)。但是，當(dāng)V GS增加到 MOSFET 下閾值電壓V T以上時(shí)，通道打開(kāi)，電流流動(dòng)并且繼電器線圈工作。
　　然后，增強(qiáng)型 MOSFET 作為常開(kāi)開(kāi)關(guān)運(yùn)行，非常適合開(kāi)關(guān)繼電器等小負(fù)載。E 型 MOSFET 具有較高的“關(guān)斷”電阻，但具有中等的“導(dǎo)通”電阻（適合大多數(shù)應(yīng)用），因此在為特定開(kāi)關(guān)應(yīng)用選擇 E 型 MOSFET 時(shí)，需要考慮其R DS值。
　　P溝道MOSFET繼電器開(kāi)關(guān)電路
　　P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET (PMOS) 的構(gòu)造與 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 相同，只是它僅在負(fù)柵極電壓下工作。換句話說(shuō)，P 溝道 MOSFET 以相同的方式工作，但極性相反，因?yàn)闁艠O必須比源極更負(fù)，才能通過(guò)如圖所示的正向偏置來(lái)“導(dǎo)通”晶體管。
　　P溝道MOSFET繼電器開(kāi)關(guān)電路
　　p溝道電路
　　在此配置中，P 溝道源極端子連接到+Vdd，漏極端子通過(guò)繼電器線圈連接到地。當(dāng)高電壓電平施加到柵極時(shí)，P 溝道 MOSFET 將“截止”。關(guān)閉的 E-MOSFET 將具有非常高的溝道電阻，并且?guī)缀跸耖_(kāi)路一樣工作。
　　當(dāng)?shù)碗妷弘娖绞┘拥綎艠O時(shí)，P 溝道 MOSFET 將“導(dǎo)通”。這將導(dǎo)致電流流過(guò)操作繼電器線圈的 e-MOSFET 通道的低電阻路徑。N 溝道和 P 溝道 e-MOSFET 均可構(gòu)成出色的低壓繼電器開(kāi)關(guān)電路，并且可以輕松連接到各種數(shù)字邏輯門(mén)和微處理器應(yīng)用。