家用暖氣控制電路
出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-01-30 16:43:11 | 193 次閱讀
在焊接行業(yè)中,一種常見(jiàn)的焊接電源是“滴管”。它們以高開(kāi)路電壓開(kāi)始,可能高達(dá) 125 伏,負(fù)載時(shí)電壓急劇下降,可能降至 20 或 24 伏。要求是從這樣的下降器操作 12v 繼電器。這是結(jié)果電路。
用作電流源
這個(gè)相同的電路也非常成功地用作電流源,以從同一下降器提供低壓控制電路。使用環(huán)形電感器,負(fù)載與 ot 串聯(lián),連接續(xù)流二極管,以便驅(qū)動(dòng)電流和續(xù)流電流都流過(guò)負(fù)載。負(fù)載電壓由齊納二極管調(diào)節(jié)。
上電時(shí),C1 通過(guò) D1 和 R1 充電。R2 將導(dǎo)通,將射極跟隨器 Tr2 的基極拉高,并將柵極電壓饋送到 MOSFET。Tr4。顯然,上電期間模擬區(qū)域中的電路,但由于這是用于高壓電源,因此上電非常快。
當(dāng) Tr4 導(dǎo)通時(shí),電流通過(guò) R5 和螺線(xiàn)管線(xiàn)圈。電流逐漸增加,直到 R5 兩端的電壓高到足以導(dǎo)通 Tr1。
Tr1 和 Tr3 是互補(bǔ)反饋對(duì),因此當(dāng) Tr1 導(dǎo)通時(shí),它們?cè)谒賱?dòng)開(kāi)關(guān)中相互導(dǎo)通,MOSFET 柵極被硬關(guān)斷。
螺線(xiàn)管線(xiàn)圈中的電流(通過(guò)電感)被迫保持流動(dòng)。它通過(guò) D3 和 R4 實(shí)現(xiàn)。
但是流入 Tr1 基極的電流是通過(guò) R4 和 Tr3 的電流之和。R2 的電流流過(guò) Tr1,因此沒(méi)有電流流過(guò) Tr2,因此 Tr3 電流(在電池放電后)僅是流過(guò) R3 的電流。因此,通過(guò) R5 的電流必須下降這個(gè)量,然后才不足以保持 Tr1 導(dǎo)通。該電流是由流過(guò) R5 的感測(cè)繼電器電流引起的,因此 R3 與 R4 的比率設(shè)置了遲滯。
當(dāng)沒(méi)有足夠的電流來(lái)保持 Tr1 導(dǎo)通時(shí),它會(huì)關(guān)閉,柵極會(huì)再次被 R5 和 Tr2 拉高,從而導(dǎo)通 MOSFET。它猛擊繼電器線(xiàn)圈上的電源電壓,建立電流。顯然,電流建立的速率將取決于電源電壓,因此在低壓下,MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間較長(zhǎng),在高壓下導(dǎo)通時(shí)間較短。
MOSFET 關(guān)閉的時(shí)間取決于繼電器線(xiàn)圈并且是恒定的,而開(kāi)啟時(shí)間會(huì)變化,從而改變頻率。
組件
需要選擇 R5,以便檢測(cè)所需的電流。它應(yīng)該在所需電流下降低一個(gè) Vbe(約 0.6v)。
需要選擇具有足夠電壓和電流處理能力的 MOSFET,當(dāng)然您可能需要對(duì) MOSFET 進(jìn)行散熱。
D3 應(yīng)該是一個(gè)高速二極管,其額定電壓至少等于電路將遇到的最高工作電壓。
這些東西都是操作條件相關(guān)的,所以我只好交給你了!
該電路在生產(chǎn)中被證明是非??煽康摹o@然,您需要觀察電壓尖峰和電流額定值。當(dāng) MOSFET 進(jìn)入線(xiàn)性模式時(shí),您也不應(yīng)該嘗試在低電壓下操作它,更不用說(shuō)螺線(xiàn)管電壓加 15v。這不會(huì)立即損壞 MOSFET,但它會(huì)變熱。因此,最好不要通過(guò)連接和斷開(kāi)電源來(lái)切換繼電器,而是通過(guò)激活和停用控制器來(lái)切換繼電器。稍后可以添加執(zhí)行此操作的方法。
我對(duì)這個(gè)電路有幾個(gè)變化和補(bǔ)充。例如,如果您想要低側(cè)開(kāi)關(guān),可以通過(guò)光耦合器打開(kāi)/關(guān)閉它。也可以有兩個(gè)電流級(jí)別的版本,其中螺線(xiàn)管電流以高值開(kāi)始用于吸合,并在一段時(shí)間后下降到較低的保持電流。
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