?。?）：等效電路

　?。?）：說明：

　　功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。

　　功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）

　　（1）：等效電路（門極不加控制）

　?。?）：說明：

　　即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。

　　功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）

　　（1）：等效電路（門極加控制）

　?。?）：說明：

　　功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

　　功率MOSFET的正向截止等效電路

　?。?）：等效電路

　?。?）：說明：

　　功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。

　　功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)

　　（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線

　?。?）：說明：

　　功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時的穩(wěn)態(tài)工作點：

　　當(dāng)門極不加控制時，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。

　?。?）：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：

　　-- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)Vgs<Vth時，器件處于斷開狀態(tài)，Vth一般為 3V；當(dāng)Vgs>Vth時，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)；器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān)，Vgs大，通態(tài)電阻?。欢鄶?shù)器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V；

　　-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標(biāo)稱的；只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的；

　　-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題；

　　-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很?。?

　　-- 器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常?。壳白钚〉臑?-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件；

　　包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路

　?。?）：等效電路

　?。?）：說明：

　　實際的功率MOSFET 可用三個結(jié)電容，三個溝道電阻，和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。