由TOP246Y構(gòu)成45W多路輸出式開(kāi)關(guān)電源的電路如下圖所示。本電路可作為機(jī)頂盒、電報(bào)譯友器、大容量硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器或筆記本電腦的開(kāi)關(guān)電源。

主要指標(biāo)
　　該電源在輸入電壓為交流185V~265V時(shí)，額定輸出功率為45W，峰值輸出率可達(dá)60W。電源效率N大于或等于75%，空載時(shí)的功耗僅為0.6W。五路輸出分別為：UO1（5V、3.2A）、UO2(3.3V、0.03A)、UO4(18V、0.5A）、UO6（12V、0.6A）；它們的負(fù)載調(diào)整率依次為正負(fù)5%、正負(fù)5%、正負(fù)8%、正負(fù)7%、正負(fù)7%?，F(xiàn)將5V和3.3V作為主輸出，并按一定的比例引入了反饋量，使這兩路的穩(wěn)壓性能。其余各路為輔輸出。
　　考慮到開(kāi)關(guān)電源周?chē)沫h(huán)境溫度較高，TOP246Y適合溫度不超過(guò)60度的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)頂盒。

　　現(xiàn)將5V和3.3V作為主輸出，并按一定的比例引入了反饋量，使這兩路的穩(wěn)壓性能。其余各路為輔輸出。考慮到開(kāi)關(guān)電源周?chē)沫h(huán)境溫度較高，TOP246Y適合給溫度不超過(guò)60℃的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)頂盒（SettopBox）供電，以利于降低傳導(dǎo)損耗，減小散熱器尺寸。R2為極限電流設(shè)定電阻，取R2=9kΩ時(shí)，可將極限電流設(shè)定為典型值的80％，即=80％ILIMIT，從而限制了過(guò)載功率。R1是線(xiàn)路檢測(cè)電阻，當(dāng)整流濾波后的直流輸入電壓超過(guò)450V時(shí)，它通過(guò)檢測(cè)浪涌電流和瞬態(tài)電流來(lái)進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)，迫使TOP246Y關(guān)斷，起到了保護(hù)作用。這對(duì)電網(wǎng)供電質(zhì)量欠佳的地方尤為必要。

工作原理:

　　由VDZ1、VD6、R5和C5構(gòu)成的初級(jí)鉗位電路，能使漏極電壓在所有情況下均低于700V。R5和C5組成尖峰電壓吸收電路，正常工作時(shí)可將瞬態(tài)電壓抑制器VDZ1上的功率損耗降至，除非發(fā)生過(guò)載情況。TOP246Y具有頻率抖動(dòng)特性，能有效抑制噪聲干擾，因此只需在輸入端加簡(jiǎn)單的EMI濾波器（C1，L1，C6）并采取合理的接地措施，即可符合有關(guān)電磁兼容性的CISPR2213國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。剛上電時(shí)，利用熱敏電阻（RT）可對(duì)C2的沖擊電流加以限制，防止保險(xiǎn)絲損壞。壓敏電阻（RV）的作用是吸收從電網(wǎng)竄入的浪涌電壓。
　　為減小高頻變壓器的體積，次級(jí)繞組采用堆疊式繞法。輔輸出繞組的電位參考點(diǎn)接VD10的負(fù)極而不是正極，目的是把高壓輸出的電壓偏差降至最小。次級(jí)電壓經(jīng)過(guò)VD7～VD11、C7、C9、C11、C13、C16、C14和C17進(jìn)行整流濾波。VD11為3.3V輸出電路中的整流管，選用MBR1045型10A／45V的肖特基二極管，肖特基二極管適于作低壓、大電流整流，利用其低壓降之特性，可提高電源效率。VD10為5V輸出的整流管，采用BYV32200型20A／200V的超快恢復(fù)二極管。3.3V和5V輸出端的兩只濾波電容需作并聯(lián)使用，以減小輸出端的紋波電流。后置濾波器由L2～L5、C8′、C10、C12、C15和C18構(gòu)成。電阻R6可防止30V繞組端在輕載時(shí)的峰值充電電流。3.3V輸出經(jīng)R11和R10取樣后，接IC3（TL431A）的基準(zhǔn)端，通過(guò)光耦IC2（LTV817）去調(diào)節(jié)TOP246Y的輸出占空比。R8為IC3提供偏置電流，R7用來(lái)設(shè)定整個(gè)反饋電路的直流增益。R9、C19、R3和C5均為反饋電路中的補(bǔ)償元件。C20為軟起動(dòng)電容。

使用注意事項(xiàng)

　　（1）輸入濾波電容的負(fù)極應(yīng)直接連反饋繞組（稱(chēng)之為開(kāi)爾文連接），以便將反饋繞組上的浪涌電流直接返回到輸入濾波電容，提高抑制浪涌干擾的能力。
　?。?）控制端附近的電容應(yīng)盡可能靠近源極和控制端的引腳。S極與C、L（或M）、X極需各通過(guò)一條獨(dú)立的支路相連，不得共享一條支路。禁止讓MOSFET的開(kāi)關(guān)電流通過(guò)連接CS極的支路。此外，S、L、X端的引線(xiàn)與外圍相關(guān)元件的距離也要盡量短捷，并且遠(yuǎn)離漏極D的支路，以防止產(chǎn)生噪聲耦合。
　　（3）控制端的旁路電容C5（47μF）與一只高頻旁路電容C8（0.1μF）相并聯(lián)，可以更好地抑制噪聲。反饋電路的輸出端，應(yīng)盡可能靠近C、S極。